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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:15:07Z Schottky barrier height for the photo leakage current transformation of a-Si : H TFTs Wang, M. C.; Chang, T. C.; Liu, Po-Tsun; Li, Y. Y.; Xiao, R. W.; Lin, L. F.; Chen, J. R.
國立交通大學 2014-12-08T15:15:07Z Cu/CuMg gate electrode for the application of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors Wang, M. C.; Chang, T.-C.; Liu, Po-Tsun; Li, Y. Y.; Xiao, R. W.; Lin, L. F.; Chen, J. R.
國立交通大學 2014-12-08T15:13:40Z n(+)-doped-layer-free microcrystalline silicon thin film transistors fabricated with the CuMg as source/drain metal Wang, M. C.; Chang, T. C.; Liu, Po-Tsun; Xiao, R. W.; Lin, L. F.; Li, Y. Y.; Yeh, F. S.; Chen, J. R.
國立交通大學 2014-12-08T15:13:32Z Suppression of Schottky leakage current in island-in amorphous silicon thin film transistors with the Cu/CuMg as source/drain metal Wang, M. C.; Chang, T. C.; Liu, Po-Tsun; Xiao, R. W.; Lin, L. F.; Li, Y. Y.; Huang, F. S.; Chen, J. R.

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