|
"xie m j"的相關文件
顯示項目 1-6 / 6 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:16Z |
Physical thickness 1.x nm ferroelectric HfZrOx negative capacitance FETs
|
Liu, C.W.;Chen, M.-C.;Li, K.-S.;Jong, C.-A.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Kuo, J.-Y.;Chen, H.-H.;Chou, Y.-C.;Chen, P.-G.;Tang, C.-H.;Fan, S.-T.;Lee, M.H.;Liao, M.-H.; Lee, M.H.; Fan, S.-T.; Tang, C.-H.; Chen, P.-G.; Chou, Y.-C.; Chen, H.-H.; Kuo, J.-Y.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Liao, M.-H.; Jong, C.-A.; Li, K.-S.; Chen, M.-C.; Liu, C.W. |
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:16Z |
Physical thickness 1.x nm ferroelectric HfZrOx negative capacitance FETs
|
Liu, C.W.;Chen, M.-C.;Li, K.-S.;Jong, C.-A.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Kuo, J.-Y.;Chen, H.-H.;Chou, Y.-C.;Chen, P.-G.;Tang, C.-H.;Fan, S.-T.;Lee, M.H.;Liao, M.-H.; Lee, M.H.; Fan, S.-T.; Tang, C.-H.; Chen, P.-G.; Chou, Y.-C.; Chen, H.-H.; Kuo, J.-Y.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Liao, M.-H.; Jong, C.-A.; Li, K.-S.; Chen, M.-C.; Liu, C.W. |
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:13Z |
Prospects for ferroelectric HfZrOx FETs with experimentally CET=0.98nm, SSfor=42mV/dec, SSrev=28mV/dec, switch-off <0.2V, and hysteresis-free strategies
|
Chen, M.-C.; Chen, M.-C.;Li, K.-S.;Tang, M.;Huang, S.-J.;Lee, J.-W.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Cheng, C.-C.;Chu, K.-Y.;Liu, C.;Chen, P.-G.;Lee, M.H.;Liao, M.-H.; Lee, M.H.; Chen, P.-G.; Liu, C.; Chu, K.-Y.; Cheng, C.-C.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Lee, J.-W.; Huang, S.-J.; Liao, M.-H.; Tang, M.; Li, K.-S. |
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:13Z |
Prospects for ferroelectric HfZrOx FETs with experimentally CET=0.98nm, SSfor=42mV/dec, SSrev=28mV/dec, switch-off <0.2V, and hysteresis-free strategies
|
Chen, M.-C.; Chen, M.-C.;Li, K.-S.;Tang, M.;Huang, S.-J.;Lee, J.-W.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Cheng, C.-C.;Chu, K.-Y.;Liu, C.;Chen, P.-G.;Lee, M.H.;Liao, M.-H.; Lee, M.H.; Chen, P.-G.; Liu, C.; Chu, K.-Y.; Cheng, C.-C.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Lee, J.-W.; Huang, S.-J.; Liao, M.-H.; Tang, M.; Li, K.-S. |
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:12Z |
Simulation-based study of negative-capacitance double-gate tunnel field-effect transistor with ferroelectric gate stack
|
Lee, M.-H.;Chen, P.-S.;Lee, H.-Y.;Chen, Y.-S.;Liu, S.;Huang, S.-J.;Lee, J.-W.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Chen, P.-G.;Liu, C.;Liao, M.-H.; Liu, C.; Chen, P.-G.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Lee, J.-W.; Huang, S.-J.; Liu, S.; Chen, Y.-S.; Lee, H.-Y.; Liao, M.-H.; Chen, P.-S.; Lee, M.-H. |
| 臺大學術典藏 |
2019-03-11T08:01:12Z |
Simulation-based study of negative-capacitance double-gate tunnel field-effect transistor with ferroelectric gate stack
|
Lee, M.-H.;Chen, P.-S.;Lee, H.-Y.;Chen, Y.-S.;Liu, S.;Huang, S.-J.;Lee, J.-W.;Liu, S.-N.;Xie, M.-J.;Chen, P.-G.;Liu, C.;Liao, M.-H.; Liu, C.; Chen, P.-G.; Xie, M.-J.; Liu, S.-N.; Lee, J.-W.; Huang, S.-J.; Liu, S.; Chen, Y.-S.; Lee, H.-Y.; Liao, M.-H.; Chen, P.-S.; Lee, M.-H. |
顯示項目 1-6 / 6 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目
|
