臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立高雄師範大學	1992	The Current-Voltage Characteristics of a Delta-Doped Triple-Barrier Switch	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;C. H. Su;H.H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	The Switching Characteristics in Sawtooth Type Superlattice with Asymmetric Doping	Ruey-Lue Wang;H. H. Tsai;Y. K. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	Delta-Doped Layer and Related Interband Tunnelin Giode by MOCVD	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai;C.H. Su; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	GaAs Negative Differential Resistance Devices	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1992	Delta-Doped Triple-Barrier Switching Device	Ruey-Lue Wang;T. S. Wu;Y. K. Su;H. H. Tsai; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1991	Negative Differential Resistance in GaAs Delta-Doping Tunneling Diodes	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang; 王瑞祿
國立臺灣海洋大學	1991	A Study of the Growth Rate of ZnSe Epilayer on GaAs Substrate Using Vapor Phase Epitaxy	C.C.Chang; Y.K.Su; C.C.Wei; S.S.Chou; S.H.Yang; F.L.Hsu
國立高雄師範大學	1990-06	A Novel Negative Differential Resistance in Delta-Doping Induced Homojunction Double Barrier Quantum Well Diode	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang;K. F. Yarn; 王瑞祿
國立高雄師範大學	1990	Negative differential resistance of a delta-doping-induced double-barrier quantum-well diode at room temperature	Ruey-Lue Wang;Y. K. Su;Y. H. Wang;K. F. Yarn; 王瑞祿
國立臺灣海洋大學	1989-12	The effect of growth time and thickness on the electrical properties of ZnSe epilayers on GaAs substrates	Y. K. Su; C. C. Chang; C. C. Wei; F. J. Hwang

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