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機構 日期 題名 作者
國立中山大學 1984 Growth Mechanisms of the GaAs LPMOCVD Growth C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su;Y.C. Chou;L.P. Chen
國立中山大學 1983 Enhancement of Growth Rate due to Tin Doping in GaAs Epilayer Grown by Low Pressure Metalorgarlic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; C.Y. Chang; Y.K. Su; W.C. Hsu
國立中山大學 1983 Control of Silicon Dioxide Properties by RF Sputtering M.K. Lee; C.Y. Chang; I.S. Tzeng; Y.K. Su
國立中山大學 1983 Investigation of Sn-doped GaAs Epilayers Grown by Low Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; C.Y. Chang; Y.K. Su
國立中山大學 1982-10 Sn-doped GaAs Epilayers Grown by Low Pressure MOCVD C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su
國立中山大學 1982 Two Region Associated with Transverse Field Characteristic Model of GaAs MESFET M.K. Lee;C.Y. Chang;Y.K. Su
國立中山大學 1982 A Method for Growing Sn-doped Gays Epilayers by Low Pressure MOCVD C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su;T.S. Wu
國立中山大學 1981 Characterization of GaAs Epitaxial Layers by Low Pressure MOVPE Using TEG as Ga Source C.Y. Chang; Y.K. Su; M.K. Lee; M.P. Houng
國立中山大學 1981 Growth and Properties of GaP/Si Device by MOCVD Y.K. Su;C.Y. Chang;T.S. Wu;M.K. Lee;M.P. Houng;L.G. Chen
國立中山大學 1981 Properties of Sn-doped GaAs Epitaxial Layers by Low Pressure MOCVD M.K. Lee;C.Y. Chang;Y.K. Su

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