|
"yang y j"的相關文件
顯示項目 456-465 / 497 (共50頁)
<< < 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立臺灣大學 |
2001-07 |
Stable single-mode 850 nm VCSELs with a higher-order mode absorber formed by shallow Zn diffusion
|
Chen, C.C.; Liaw, S.J.; Yang, Y.J. |
| 國立臺灣大學 |
2001-07 |
Blue light-emitting diode fabrication of an InGaN/GaN epilayer bonded on a Si substrate by laser liftoff
|
Chen, C.C.; Hsu, M.C.; Hsiao, J.R.; Yen, J.L.; Yang, Y.J.; Lin, C.H.; Wang, L.A.; Liu, C.C. |
| 國立臺灣大學 |
2001-05 |
The effect of Mg diffusion on the contact resistance of low doped p-GaN
|
Chen, C.C.; Yen, J.L.; Yang, Y.J. |
| 國立臺灣大學 |
2001-01 |
Resistive Heated MOCVD Deposition of InN Films
|
Hwang, J. S.; Li, T. H.; Yang, F. H.; Chen, K. H.; Hwa, L. G.; Yang, Y. J.; Chen, L. C. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Dual-gate In0.5Ga0.5P/In0.2Ga0.8As pseudomorphic high electron mobility transistors with high linearity and variable gate-voltage swing
|
Lour, W.-S.; Tsai, M.-K.; Chen, K.-C.; Wu, Y.-W.; Tan, S.-W.; Yang, Y.-J. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Studies and comparisons of a N+-InGaP/δ(P+)-InGaP/n- GaAs hetero-planar-doped structure to high-linearity microwave field-effect transistors
|
Lour, W. S.; Tsai, M. K.; Lai, K. Y.; Chen, B. L.; Yang, Y. J. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Stable single-mode operation of an 850 nm VCSEL with a higher-order mode absorber formed by shallow Zn diffusion
|
Chen, C.C.; Liaw, S.J.; Yang, Y.J. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Photoluminescence and Raman study of nitrogen ion-implanted InN
|
Hwang, J.S.; Chuan, C.M.; Yang, F.H.; Yang, Y.J.; Hwa, L.G.; Chen, L.C. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Effects of high-speed reaction gas on InN growth
|
Yang, F.H.; Hwang, J.H.; Chen, K.H.; Yang, Y.J. |
| 國立臺灣大學 |
2001 |
Growth mode of oriented indium nitride platelets observed via lateral epitaxy
|
Hwang, J.S.; Chen, L.C.; Chen, K.H.; Yang, F.H.; Yang, Y.J.; Chang, C.S.; Chen, Y.F.; Li, T.H.; Hwa, L.G. |
顯示項目 456-465 / 497 (共50頁)
<< < 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
