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機構	日期	題名	作者
東海大學	2007	Temperature effect of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors' gate current evaluated with the mask dimensions	Yeh, C.-C., Neih, C.-F., Chen, Y.-Y., Gong, J.
東海大學	2007	Simple and accurate method of modeling gate current of N-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor	Yeh, C.-C., Neih, C.-F., Chen, Y.-Y., Gong, J.
東海大學	2006-10-23	Modeling the MOSFETs' gate current with the drawn dimensions	Yeh, C.-C., Neih, C.-F., Chen, Y.-Y., Gong, J.

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