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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:13Z IMPROVED IV-CHARACTERISTICS OF POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTORS WITH NOVEL DUAL-BUFFER DRAIN STRUCTURE YEH, CF; CHERN, CH
國立交通大學 2014-12-08T15:04:07Z PERFORMANCE AND OFF-STATE CURRENT MECHANISMS OF LOW-TEMPERATURE PROCESSED POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTORS WITH LIQUID-PHASE DEPOSITED SIO2 GATE INSULATOR YEH, CF; LIN, SS; YANG, TZ; CHEN, CL; YANG, YC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:04Z LOW-TEMPERATURE-PROCESSED POLY-SI THIN-FILM TRANSISTORS USING SOLID-PHASE-CRYSTALLIZED AND LIQUID-PHASE-DEPOSITED GATE OXIDE YEH, CF; CHEN, CL; YANG, YC; LIN, SS; YANG, TZ; HONG, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:56Z ROOM-TEMPERATURE SELECTIVE GROWTH OF DIELECTRIC FILMS BY LIQUID-PHASE DEPOSITION YEH, CF; CHEN, CL
國立交通大學 2014-12-08T15:03:43Z THE PHYSICOCHEMICAL PROPERTIES AND GROWTH-MECHANISM OF OXIDE (SIO2-XFX) BY LIQUID-PHASE DEPOSITION WITH H2O ADDITION ONLY YEH, CF; CHEN, CL; LIN, GH
國立交通大學 2014-12-08T15:03:33Z CHARACTERISTICS OF SELF-INDUCED LIGHTLY-DOPED-DRAIN POLYCRYSTALLINE SILICON THIN-FILM TRANSISTORS WITH LIQUID-PHASE DEPOSITION SIO2 AS GATE-INSULATOR AND PASSIVATION-LAYER YEH, CF; YANG, TZ; CHEN, TJ
國立交通大學 2014-12-08T15:03:31Z BOND-STRUCTURE CHANGES OF LIQUID-PHASE DEPOSITED OXIDE (SIO2-XFX) ON N2 ANNEALING YEH, CF; CHEN, CL; LUR, W; YEN, PW
國立交通大學 2014-12-08T15:03:22Z FABRICATION OF MOSFETS USING LOW-TEMPERATURE LIQUID-PHASE DEPOSITED OXIDE YEH, CF; LIN, SS; HONG, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:17Z LOW-TEMPERATURE PROCESSED MOSFETS WITH LIQUID-PHASE DEPOSITED SIO2-XFX AS GATE INSULATOR YEH, CF; LIN, SS; HONG, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:16Z EFFECTS OF PLASMA TREATMENT ON THE PROPERTIES OF ROOM-TEMPERATURE LIQUID-PHASE DEPOSITED (LPD) OXIDE-FILMS YEH, CF; LIN, SS

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