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| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:40:57Z |
Fully silicided NiSi gate on La2O3 MOSFETs
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Lin, CY; Ma, MW; Chin, A; Yeo, YC; Zhu, CX; Li, MF; Kwong, DL |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:38:31Z |
Electron mobility in Ge and strained-Si channel ultrathin-body metal-oxide semi conductor field-effect transistors
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Low, T; Li, MF; Shen, C; Yeo, YC; Hou, YT; Zhu, CX; Chin, A; Kwong, DL |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:18:47Z |
Formation of dual-phase HfO2-HfxSi1-xO2 dielectric and its application in memory devices
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Wang, YQ; Chen, JH; Yoo, WJ; Yeo, YC; Chin, A; Du, AY |
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