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| 臺大學術典藏 |
2021-02-26T08:43:37Z |
Enhance AlGaN/GaN HEMTs electrical performance by using patterned sapphire substrate
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Yi, C.-K.; Chien, C.-Y.; Chan, C.-T.; Pai, C.-W.; Kuan, C.-H.; CHIEH-HSIUNG KUAN |
| 臺大學術典藏 |
2021-02-26T08:43:37Z |
Advanced HEMT characteristics of epitaxial quality-improved GaN by using patterned sapphire
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Chien, C.Y.; Huang, C.C.; Yi, C.K.; Yen, C.W.; Kuan, C.H.; CHIEH-HSIUNG KUAN |
| 臺大學術典藏 |
2021-02-26T08:43:36Z |
Growth mechanism of GaN growing on dome-shaped patterned-sapphire substrates
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Chien, C.Y.; Yi, C.K.; Pai, C.W.; Huang, C.C.; Kuan, C.H.; CHIEH-HSIUNG KUAN |
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