English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :2856704  
造访人次 :  53662721    在线人数 :  1863
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"yu chang hung"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 6-15 / 33 (共4页)
1 2 3 4 > >>
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2018-08-21T05:53:58Z Performance and Stability Benchmarking of Monolithic 3-D Logic Circuits and SRAM Cells With Monolayer and Few-Layer Transition Metal Dichalcogenide MOSFETs Yu, Chang-Hung; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2018-01-24T07:38:51Z 超薄絕緣層異質三五族與鍺通道金氧半場效電晶體及單層與多層二維過渡金屬硫屬化合物之邏輯電路及靜態隨機存取記憶體之研究與分析 余昌鴻; 蘇彬; Yu, Chang-Hung; Su, Pin
國立交通大學 2017-04-21T06:56:15Z Impact of Random Variations on Cell Stability and Write-Ability of Low-Voltage SRAMs Using Monolayer and Bilayer Transition Metal Dichalcogenide (TMD) MOSFETs Yu, Chang-Hung; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:50:14Z Anomalous Electrostatics and Intrinsic Variability in GeOI p-MOSFET Yu, Chang-Hung; Su, Pin
國立交通大學 2017-04-21T06:49:44Z Built-in Effective Body-Bias Effect in UTBB Hetero-Channel MOSFETs and Its Suppression Yu, Chang-Hung; Su, Pin
國立交通大學 2017-04-21T06:49:30Z Investigation and Benchmark of Intrinsic Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) for Ultra-Thin-Body III-V-on-Insulator n-MOSFETs Yu, Chang-Hung; Su, Pin
國立交通大學 2017-04-21T06:49:25Z Stability Optimization of Monolithic 3-D MoS2-n/WSe2-p SRAM Cells for Superthreshold and Near-/Sub-threshold Applications Yu, Chang-Hung; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:49:25Z Performance Benchmarking of Monolayer and Bilayer Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenide (TMD) Based Logic Circuits Yu, Chang-Hung; Su, Pin; Chuang, Ching-Te
國立臺灣海洋大學 2017 藉由分子堆疊調控放光波長 Yu, Chang-Hung; 余長鴻
國立交通大學 2016-03-28T00:04:24Z Evaluation of Monolayer and Bilayer 2-D Transition Metal Dichalcogenide Devices for SRAM Applications Yu, Chang-Hung; Fan, Ming-Long; Yu, Kuan-Chin; Hu, Vita Pi-Ho; Su, Pin; Chuang, Ching-Te

显示项目 6-15 / 33 (共4页)
1 2 3 4 > >>
每页显示[10|25|50]项目