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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2019-04-03T06:45:10Z Cyclotron masses and g-factors of hybridized electron-hole states in InAs/GaSb quantum wells Nilsson, K.; Zakharova, A.; Lapushkin, I.; Yen, S. T.; Chao, K. A.
國立交通大學 2019-04-03T06:44:51Z Spin polarization of an electron-hole gas in InAs/GaSb quantum wells under a dc current Zakharova, A; Lapushkin, I; Nilsson, K; Yen, ST; Chao, KA
國立交通大學 2019-04-03T06:42:52Z Six-band k center dot p calculation of spin-dependent interband tunneling in strained broken-gap heterostructures under a quantizing magnetic field Zakharova, A; Nilsson, K; Chao, KA; Yen, ST
國立交通大學 2019-04-03T06:39:51Z Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells Zakharova, A; Yen, ST; Chao, KA
國立交通大學 2014-12-08T15:38:49Z A self-consistent investigation of the semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields Lapushkin, I; Zakharova, A; Yen, ST; Chao, KA
國立交通大學 2014-12-08T15:19:31Z Effects of lattice mismatch and bulk anisotropy on interband tunneling in broken-gap heterostructures Zakharova, A; Yen, ST; Nilsson, K; Chao, KA
國立交通大學 2004-03-01 Landau level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells Zakharova, A; Yen, ST; Chao, KA
國立交通大學 2001-12-15 Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells Zakharova, A; Yen, ST; Chao, KA

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