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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:25:27Z Strain-induced very low noise RF MOSFETs on flexible plastic substrate Kao, HL; Chin, A; Hung, BF; Lai, JM; Lee, CF; Li, MF; Samudra, GS; Zhu, C; Xia, ZL; Liu, XY; Kang, JF
國立交通大學 2014-12-08T15:25:11Z Lanthanide and Ir-based dual metal-gate/HfAlON CMOS with large work-function difference Yu, DS; Chin, A; Wu, CH; Li, MF; Zhu, C; Wang, SJ; Yoo, WJ; Hung, BF; McAlister, SP
國立交通大學 2014-12-08T15:17:29Z High work function IrxSi gates on HfAlON p-MOSFETs Wu, CH; Yu, DS; Chin, A; Wang, SJ; Li, MF; Zhu, C; Hung, BE; McAlister, SP
國立交通大學 2014-12-08T15:14:22Z High-temperature stable HfLaON p-MOSFETs with high-work-function Ir3Si gate Wu, C. H.; Hung, B. F.; Chin, Albert; Wang, S. J.; Wang, X. P.; Li, M. -F.; Zhu, C.; Yen, F. Y.; Hou, Y. T.; Jin, Y.; Tao, H. J.; Chen, S. C.; Liang, M. S.
臺大學術典藏 2009 Theoretical treatment of anharmonic effect on molecular absorption, fluorescence spectra, and electron transfer Lin, S. H.; Hayashi, M.; Liang, K. K.; Zhu, C.
國立成功大學 2007-04 High-temperature stable HfLaON p-MOSFETs with high-work-function Ir3Si gate Wu, C. H.; Hung, B. F.; Chin, Albert; Wang, S. J.; Wang, X. P.; Li, M. F.; Zhu, C.; Yen, F. Y.; Hou, Y. T.; Jin, Y.; Tao, H. J.; Chen, S. C.; Liang, M. S.
國立成功大學 2006-02 High work function IrxSi gates on HfAlON p-MOSFETs Wu, C. H.; Yu, D. S.; Chin, Albert; Wang, Shui-Jinn; Li, M. F.; Zhu, C.; Hung, B. E.; McAlister, S. P.

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