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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:10:38Z The investigation of capture/emission mechanism in high-k gate dielectric soft breakdown by gate current random telegraph noise approach Chung, Steve S.; Chang, C. M.
國立交通大學 2014-12-08T15:10:03Z The channel backscattering characteristics of sub-100nm CMOS devices with different channel/substrate orientations Tsai, Y. J.; Chung, Steve S.; Liu, P. W.; Tsai, C. H.; Lin, Y. H.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W.
國立交通大學 2014-12-08T15:09:24Z Novel ultra-low voltage and high-speed programming/erasing schemes for SONOS flash memory with excellent data retention Chung, Steve S.; Tseng, Y. H.; Lai, C. S.; Hsu, Y. Y.; Ho, Eric; Chen, Terry; Peng, L. C.; Chu, C. H.
國立交通大學 2014-12-08T15:07:36Z Technology roadmaps on the ballistic transport in strain engineered nanoscale CMOS devices Chung, Steve S.; Tsai, Y. J.; Tsai, C. H.; Liu, P. W.; Lin, Y. H.; Tsai, C. T.; Ma, G. H.; Chien, S. C.; Sun, S. W.
國立交通大學 2014-12-08T15:07:17Z The proximity of the strain induced effect to improve the electron mobility in a silicon-carbon source-drain structure of n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-08T15:03:20Z The State-of-the-Art Mobility Enhancing Schemes for High-Performance Logic CMOS Technologies Chung, Steve S.

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