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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:34:54Z 超薄氮化閘極氧化層奈米CMOS元件可靠性的新方法研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:26Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:34:13Z 先進低電壓低功率及高效能快閃式記憶體之研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:33:04Z 高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:43Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:32Z 高介電氧化層奈米CMOS元件可靠性關鍵問題及界面量測技術研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:15Z 張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:11Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:31:03Z 高性能先進三維閘極CMOS應變元件設計---元件至電路的考量(I) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:29:57Z 採用高層次操作模式及閘氧化層的高性能及可靠性SONOS快閃記憶體之研究(III) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:29:56Z 張力型矽鍺奈米CMOS元件通道工程及可靠性關鍵問題研究(II) 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:29:48Z 高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:29:10Z 混合基片奈米CMOS元件技術中各種應力效應對傳輸特性及可靠性影響的研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-13T10:28:38Z 高速操作及高資料保存特性SONOS型式快閃記憶體之研究 莊紹勳; Chung Steve S
國立交通大學 2014-12-12T02:44:43Z 雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討 莊嘉暉; Chuang, Chia-Hui; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T02:44:42Z 三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型 洪健珉; Hung,Chien-Ming; 莊紹勳; Chung,Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T02:36:52Z 二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究 伍邦齊; Wu, Pang-Chi; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T02:36:45Z 二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析 陳敬翰; Chen, Ching-Han; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T02:36:44Z 閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響 林尚墩; Lin, Shang Tun; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T02:36:39Z U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討 王漢樽; Wang, Han-Tsun; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T01:55:13Z CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討 蔡政達; Tsai, Cheng-Ta; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T01:55:06Z 使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體 氧化層隨機陷阱造成之擾動效應 蔡漢旻; Tsai, Hanmin; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T01:37:27Z 決定高效能蕭特基金氧半場效應電晶體傳輸參數的新實驗方法 鄭士嵩; Cheng, Xhiz-Song; 莊紹勳; Chung, Steve S.
國立交通大學 2014-12-12T01:37:18Z 應變矽CMOS元件中隨機摻雜與隨機界面缺陷引起的臨界電壓變異度研究 程政穎; Cheng, Cheng-Ying; 莊紹勳; Chung, Steve-S.
國立交通大學 2014-12-12T01:27:11Z 二氧化鉿薄膜電阻式隨機存取記憶體之轉換機制及可靠度探討 王振鵬; Wang, Jen-Peng; 莊紹勳; Chung, Steve S.

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