臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

	English \| 正體中文 \| 简体中文 \| 總筆數 :2827024
	造訪人次 : 32075766 線上人數 : 1434 教育部委託研究計畫計畫執行:國立臺灣大學圖書館

搜尋範圍

進階搜尋

登入

管理

臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

關於TAIR
	計畫說明

瀏覽
	典藏機構
	作者
	題名
	日期
	統計圖表
	機構即時統計
	學術趨勢

消息
	2019臺灣學術機構典藏研討會
	機構典藏系統RC7版本已發佈

著作權
	出版社及期刊政策查詢
	TAIR著作權會議記錄

相關連結
	機構典藏計畫網站
	ROAR
	OpenDOAR
	SHERPA
	OAIster
	JAIRO
	Ira
	DSPACE
	RWWR
	臺大學術典藏NTU Scholars

"d h lung"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序	依日期排序

顯示項目 1-12 / 12 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目

機構	日期	題名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:18Z	Parasitic BJT versus DIBL: Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device	D. H. Lung;S. K. Hu;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; S. K. Hu; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:18Z	Parasitic BJT versus DIBL: Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device	D. H. Lung;S. K. Hu;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; S. K. Hu; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:17Z	Subthreshold Behavior of the SOI NMOS Device Consdiering BJT and DIBL Effects	D. H. Lung;J. B. Kuo; D. H. Lung; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:17Z	Subthreshold Behavior of the SOI NMOS Device Consdiering BJT and DIBL Effects	D. H. Lung;J. B. Kuo; D. H. Lung; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:17Z	Back-Gate-Baias Induced Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device	S. K. Hu;D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; S. K. Hu; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T15:00:17Z	Back-Gate-Baias Induced Floating-Body-Related Subthreshold Characteristics of SOI NMOS Device	S. K. Hu;D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; S. K. Hu; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T09:50:25Z	Turn-off Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO; D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen
臺大學術典藏	2018-09-10T09:50:25Z	Turn-off Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO; D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen
臺大學術典藏	2018-09-10T09:50:25Z	Back-Gate Bias Effect of PD SOI NMOS Device Considering BJT	D. H. Lung;J. B. Kuo; D. H. Lung; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2018-09-10T09:50:25Z	Back-Gate Bias Effect of PD SOI NMOS Device Considering BJT	D. H. Lung;J. B. Kuo; D. H. Lung; J. B. Kuo; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2013-12	Turn-on Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO
臺大學術典藏	2013-12	Turn-on Transient Behavior of PD SOI NMOS Device Considering the Back-Gate Bias Effect	D. H. Lung;J. B. Kuo;D. Chen; D. H. Lung; J. B. Kuo; D. Chen; JAMES-B KUO

顯示項目 1-12 / 12 (共1頁)
1
每頁顯示[10|25|50]項目