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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:24Z THE PROCESS LIMITATION FOR FORMING TI SILICIDED SHALLOW JUNCTION BY BF(2)+ IMPLANTATION INTO THIN POLYCRYSTALLINE SI FILMS AND SUBSEQUENT TI SILICIDATION JUANG, MH; LIN, CT; JAN, ST; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:03:46Z FORMATION OF SHALLOW P(+)N JUNCTIONS BY BF2+ IMPLANTATION INTO THIN POLYCRYSTALLINE SI FILMS LIN, CT; JUANG, MH; JAN, ST; CHOU, PF; CHENG, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:03:30Z EFFECTS OF COBALT SILICIDATION ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF SHALLOW P(+)N JUNCTIONS FORMED BY BF2+ IMPLANTATION INTO THIN POLYCRYSTALLINE SI FILMS LIN, CT; CHAO, CH; JUANG, MH; JAN, ST; CHOU, PF; CHENG, HC

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