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機構 日期 題名 作者
國立成功大學 2022-04 Simulation-Based Study of Low Minimum Operating Voltage SRAM With Inserted-Oxide FinFETs and Gate-All-Around Transistors Wu;Yi-Ting;Ding;Fei;Chiang;Meng-Hsueh;Chen;Jone, F.;Liu;King, Tsu-Jae
國立成功大學 2021-11 Simulation-Based Study of High-Permittivity Inserted-Oxide FinFET With Low-Permittivity Inner Spacers Wu;Yi-Ting;Chiang;Meng-Hsueh;Chen;Jone, F.;Liu;King, Tsu-Jae
國立成功大學 2021-05-1 Investigating the Photodetectors and pH Sensors of Two-Dimensional MoS2 with Different Substrates Chang;Sheng-Po;Chen;Tzu-Hsin;Liou;Guan-Yuan;Huang;Wei-Lun;Lai;Wei-Chih;Chang;Shoou-Jinn;Chen;Jone, F.
國立成功大學 2019-04 Simulation-Based Study of High-Density SRAM Voltage Scaling Enabled by Inserted-Oxide FinFET Technology Wu;Yi-Ting;Ding;Fei;Connelly;Daniel;Chiang;Meng-Hsueh;Chen;Jone, F.;Liu;King, Tsu-Jae
國立成功大學 2018-12 Investigation of characteristics and hot-carrier reliability of high-voltage MOS transistors with various doping concentrations in the drift region Tsai;Yen-Lin;Chen;Jone, F.;Shen;Shang-Feng;Hsu;Hao-Tang;Kao;Chia-Yu;Chang;Kuei-Fen;Hwang;Hann-Ping
國立成功大學 2017-10 Simulation-Based Study of Hybrid Fin/Planar LDMOS Design for FinFET-Based System-on-Chip Technology Wu;Yi-Ting;Ding;Fei;Connelly;Daniel;Zheng;Peng;Chiang;Meng-Hsueh;Chen;Jone, F.;Liu;King, Tsu-Jae

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