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機構 日期 題名 作者
國立高雄師範大學 1996 A new functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistors (HEHBT's) Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;H. R. Chen;Shiou-Ying Cheng;Wei-Chou Wang;Po-Hung Lin;Jing-Yuh Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 Metal-insultor-semiconductor (MIS)-like field-effect-transistor for power system application Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Wen-Shiung Lour;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 High current drivability d-doping sheet InGaP/GaAs heterostructure bipolar transistor for power system applications Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Wen-Shiung Lour;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng,; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 Investigation of InGaP/GaAs multiple-differential-resistance (NDR) device prepared by MOCVD Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin;H. R. Chen,; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 Characteristics of InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor with zero potential spike by d-doped sheet Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 A new multiple negative-differential-resistance (MNDR) device with AlGaAs/step-graded InxGa1-xAs quantum well/GaAs structure Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 A new heterostructure-base bipolar transistor with multiple negative-differential-resistance Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Wen-Shiung Lour;Lih-Wen Laih;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 A new InGaP/GaAs DHBT with delta-sheet and application to power transistors Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 High-performance InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor by d-doped sheet Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學 1996 On the InGaP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with multiple S-shaped negative-differential-resistance Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng;H. R. Chen; 蔡榮輝

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