臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立高雄師範大學	1996	A new functional AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistors (HEHBT's)	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;H. R. Chen;Shiou-Ying Cheng;Wei-Chou Wang;Po-Hung Lin;Jing-Yuh Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	Metal-insultor-semiconductor (MIS)-like field-effect-transistor for power system application	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Wen-Shiung Lour;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	High current drivability d-doping sheet InGaP/GaAs heterostructure bipolar transistor for power system applications	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Wen-Shiung Lour;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng,; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	Investigation of InGaP/GaAs multiple-differential-resistance (NDR) device prepared by MOCVD	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin;H. R. Chen,; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	Characteristics of InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor with zero potential spike by d-doped sheet	Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	A new multiple negative-differential-resistance (MNDR) device with AlGaAs/step-graded InxGa1-xAs quantum well/GaAs structure	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Lih-Wen Laih;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	A new heterostructure-base bipolar transistor with multiple negative-differential-resistance	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Wen-Shiung Lour;Lih-Wen Laih;Chin-Chuan Cheng;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	A new InGaP/GaAs DHBT with delta-sheet and application to power transistors	Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	High-performance InGaP/GaAs single-heterojunction bipolar transistor by d-doped sheet	Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Wen-Chau Liu;H. R. Chen; 蔡榮輝
國立高雄師範大學	1996	On the InGaP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistor (HEBT) with multiple S-shaped negative-differential-resistance	Jung-Hui Tsai;Wen-Chau Liu;Kong-Beng Thei;Kun-Wei Lin;Chin-Chuan Cheng;H. R. Chen; 蔡榮輝

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