臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-12T02:17:32Z	P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估	郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:40Z	次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析	李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:38Z	供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式	鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:15:32Z	半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性	葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:12:11Z	VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬	蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:10:43Z	超大型積體電路類比數位混合式模擬器之設計	白祥麟; Jony Shiang Lin Bie; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:10:42Z	次微米MOS元件中因熱載子效應引起氧化層傷害之探討	唐嘉宏; Chia-Hung Tung; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:10:42Z	次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則	周鵬程; Peng-Cheng Chou; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學	2014-12-12T02:09:58Z	LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究	張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:34:13Z	先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討	顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:32:05Z	先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術	馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:51Z	以鉿為基底之高介電常數閘極介電層之N通道金氧半電晶體可靠度探討	曾友良; Yu-Liang Tseng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:49Z	探討高閘極介電層N通道金氧半電晶體的新穎閘極電流隨機電報量測法	張家銘; Chia-Ming Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:48Z	二位元SONOS快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討	郭建鴻; Jian-Hung Kuo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:44Z	奈米應變矽元件載子傳輸模型分析與其可靠度相關性探討	張文彥; Derrick W. Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:41Z	一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討	謝易叡; E Ray Hsieh; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學	2014-12-12T01:13:04Z	低電壓且高速操作的P通道快閃式記憶體元件性能及可靠性研究	黃耀賢; Yao-Hsien Huang; 莊紹勳; Steve S. Chung

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