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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:17:32Z P通道金屬半快閃式記憶體中不同程式化的可靠性評估 郭松年; Kuo, Song-Nian; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:40Z 次微米MOS元件中熱電子導致氧化層傷害及元件特性退化分析 李建宏; Lee, Giahn-Horng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:38Z 供電路模擬器SPICE使用之複晶矽薄膜電晶體模式 鄭基廷; Cheng, Chi-Ting; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:15:32Z 半空乏型矽氧化絕緣基片MOS元件之熱電子可靠性 葉俊祺; Yeh, Jun-Chyi; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:12:11Z VLSI可靠性中由熱載子產生氧化層傷害的模式與模擬 蘇振順; jen-Shien Su; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:43Z 超大型積體電路類比數位混合式模擬器之設計 白祥麟; Jony Shiang Lin Bie; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:42Z 次微米MOS元件中因熱載子效應引起氧化層傷害之探討 唐嘉宏; Chia-Hung Tung; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:10:42Z 次微米大斜角植入式金氧半元件之特性分析與設計準則 周鵬程; Peng-Cheng Chou; 莊紹勳; Steve S.Chung
國立交通大學 2014-12-12T02:09:58Z LOCOS閘極結構次微米金氧半元件的模式研究 張儉華; Chang, Chien-Hwa; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:34:13Z 先進氮化超薄氧化層及堆疊氧化層結構CMOS元件在熱載子與高溫負偏壓操作下的探討 顧子強; Zi-Qiang Ku; 莊紹勳; Steve S. Chung

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