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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T01:32:05Z 先進互補式金氧半元件的閘極層厚度1nm範圍下之低漏電電荷幫浦量測技術 馮信榮; Feng Hsin Jung; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:51Z 以鉿為基底之高介電常數閘極介電層之N通道金氧半電晶體可靠度探討 曾友良; Yu-Liang Tseng; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:49Z 探討高閘極介電層N通道金氧半電晶體的新穎閘極電流隨機電報量測法 張家銘; Chia-Ming Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:48Z 二位元SONOS快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討 郭建鴻; Jian-Hung Kuo; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:44Z 奈米應變矽元件載子傳輸模型分析與其可靠度相關性探討 張文彥; Derrick W. Chang; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:41Z 一種改良的介面缺陷之橫向剖面分析應用於奈米級應變矽CMOS元件之可靠度探討 謝易叡; E Ray Hsieh; 莊紹勳; Steve S. Chung
國立交通大學 2014-12-12T01:13:04Z 低電壓且高速操作的P通道快閃式記憶體元件性能及可靠性研究 黃耀賢; Yao-Hsien Huang; 莊紹勳; Steve S. Chung

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