臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-13T10:37:22Z	利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:34:55Z	一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:34:54Z	製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:33:37Z	高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:33:21Z	製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II)	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:31:24Z	製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(III)	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:30:42Z	氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I)	趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學	2014-12-13T10:30:20Z	高電容比值之矽可變電容二極體	趙天生; TIEN-SHENGCHAO

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