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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:37:22Z 利用MOCVD製備高介電閘極材料之研究 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:34:55Z 一種新穎絕緣層上矽動態起啟電壓金氧半元件 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:34:54Z 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:33:37Z 高效能動態起始電壓絕緣層上矽元件 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:33:21Z 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(II) 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:31:24Z 製備合成氧化物在互補式金氧半閘極介電層及自旋電元件應用之研究(III) 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:30:42Z 氣化氫氟酸在奈米金氧半電晶體之應用及其設備之開發(I) 趙天生; TIEN-SHENGCHAO
國立交通大學 2014-12-13T10:30:20Z 高電容比值之矽可變電容二極體 趙天生; TIEN-SHENGCHAO

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