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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2015-07-21T08:31:27Z STABLE RESISTIVE SWITCHING CHARACTERISTICS OF Al2O3 LAYERS INSERTED IN HfPO2 BASED RRAM DEVICES Huang, Chun-Yang; Jieng, Jheng-Hong; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:31:27Z IMPROVEMENT OF RESISTIVE SWITCHING PROPERTIES OF Ti/ZrO2/Pt WITH EMBEDDED GERMANIUM Lin, Chun-An; Panda, Debashis; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:30:55Z Graphene/Carbon Nanotube/MnO2 Nanocomposite Based Asymmetric Pseudocapacitors Hung, Chung Jung; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:29:39Z Suppression of endurance degradation by utilizing oxygen plasma treatment in HfO2 resistive switching memory Chand, Umesh; Huang, Chun-Yang; Jieng, Jheng-Hong; Jang, Wen-Yueh; Lin, Chen-Hsi; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:29:32Z Investigation of thermal stability and reliability of HfO2 based resistive random access memory devices with cross-bar structure Chand, Umesh; Huang, Kuan-Chang; Huang, Chun-Yang; Ho, Chia-Hua; Lin, Chen-Hsi; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2015-07-21T08:29:17Z Unipolar resistive switching behaviors and mechanisms in an annealed Ni/ZrO2/TaN memory device Tsai, Tsung-Ling; Ho, Tsung-Han; Tseng, Tseung-Yuen
國立成功大學 2015 A Method to Determine the Located Region of Lateral Trap Position by Analysis of Three-Level Random Telegraph Signals in n-MOSFETs Chen, Ching-En; Chang, Ting-Chang; You, Bo; Tsai, Jyun-Yu; Lo, Wen-Hung; Ho, Szu-Han; Liu, Kuan-Ju; Lu, Ying-Hsin; Hung, Yu-Ju; Tseng, Tseung-Yuen; Wu, James; Tsai, Wei-Kung; Chenge, Kuo-Yu; Syu, Yong-En
國立成功大學 2015 The Impact of Pre/Post-metal Deposition Annealing on Negative-Bias-Temperature Instability in HfO2 Stack p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors Lu, Ying-Hsin; Chang, Ting-Chang; Ho, Szu-Han; Chen, Ching-En; Tsai, Jyun-Yu; Liu, Kuan-Ju; Liu, Xi-Wen; Tseng, Tseung-Yuen; Cheng, Osbert; Huang, Cheng-Tung; Lu, Ching-Sen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:20Z Handbook of nanoceramics and their based nanodevices. Sensors, fuel cells, and biomedical applicatio Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:20Z Nonvolatile memory : materials, devices and applications Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:20Z Nonvolatile memory : materials, devices and applications Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:19Z Handbook of nanoceramics and their based nanodevices. synthesis and processing Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:19Z Handbook of nanoceramics and their based nanodevices. Nanocomposites Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:19Z Handbook of nanoceramics and their based nanodevices. Characterization and properties Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T08:15:19Z Handbook of nanoceramics and their based nanodevices. Electronic applications Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T06:16:01Z Gate controlled field emission triode and process for fabricating the same Tseng, Tseung-Yuen; Lee, Chia-Ying; Li, Seu-Yi; Lin, Pang
國立交通大學 2014-12-16T06:15:47Z Gate controlled field emission triode and process for fabricating the same Tseng, Tseung-Yuan; Lee, Chia-Ying; Li, Seu-Yi; Lin, Pang; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-16T06:15:24Z METHOD FOR FABRICATING A RESISTOR FOR A RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY TSENG Tseung-Yuen; Wang Sheng-Yu; Tsai Chen-Han
國立交通大學 2014-12-16T06:14:01Z Method for fabricating a resistor for a resistance random access memory Tseng Tseung-Yuen; Wang Sheng-Yu; Tsai Chen-Han
國立交通大學 2014-12-13T10:51:13Z 低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:50:46Z 新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:48:23Z 新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:47:21Z 低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:47:04Z 前瞻高能量超高電容器整合製程及其應用平台開發( I ) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:46:02Z 新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:45:33Z 低成本高性能高可靠度先進氧化鋅奈米線場發射元件之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:45:05Z 非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:44:12Z 奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:43:24Z 新穎透明電阻式記憶體元件於高密度與低功率消耗的非揮發性記憶體應用 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:42:47Z 錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:42:38Z 大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發(I) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:42:36Z 奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:42:35Z 非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:41:41Z 微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:41:39Z 非揮發性氧化鋯電阻式記憶元件於結構、特性與製程整合之相依性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:41:31Z 大面積高效能之薄膜型全固態電致色變元件系統開發 (II) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:41:22Z 奈米碳管陣列與錳氧化物奈米複合物超高電容器的製作與特性 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:38:53Z 微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:37:26Z 錳氧化物奈米複合材料與新穎三維碳奈米結構修飾電極製備及其應用於可撓式非對稱型超高電容器系統之研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:36:16Z 微電子工程學門研究發展及推動規劃小組計畫 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:32:12Z 高效能軟性之全固態薄膜型電致變色元件系統開發 (I) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:39Z 一維與二維的氧化鋅奈米材料之製作、結構與特性研究(III) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:20Z 高介電常數鈦酸鍶基閘極氧化物及元件的製作、結構與特性研究(III) 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-13T10:29:13Z 新世代電阻式非揮發性記憶元件之製作與特性研究 曾俊元; TSENG TSEUNG-YUEN
國立交通大學 2014-12-12T03:03:12Z 奈米點應用於先進非揮發性記憶體之製作與特性研究 林昭正; Lin, Chao-Cheng; 曾俊元; 張鼎張; Tseng, Tseung-Yuen; Chang, Ting-Chang
國立交通大學 2014-12-12T02:45:28Z 高可靠度特性的過渡金屬氧化物電阻式記憶體製作與特性研究 黃駿揚; Huang, Chun-Yang; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-12T02:42:56Z 奈米碳管/鈷氧化物複合電極材料於超高電容器之應用研究 余芸錚; Yu, Yun-Cheng; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-12T02:42:33Z 氧化鋯電阻式記憶體搭配氧化鎢之雙極性與自我限流特性研究 林榆瑄; Lin, Yu-Hsuan; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-12T02:36:51Z 氧化鋯電阻式記憶體之單極性電阻切換特性研究及其應用 何宗翰; Ho, Tsung-Han; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen
國立交通大學 2014-12-12T02:34:31Z 高緻密鎵摻雜氧化鋅奈米柱薄膜應用於全透明高效能電阻式非揮發性記憶體特性 何彥廷; Ho, Yen-Ting; 曾俊元; Tseng, Tseung-Yuen

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