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機構 日期 題名 作者
亞洲大學 2015-03 High Voltage NLDMOS with Multiple-RESURF Structure to Achieve Improved On-resistance Yang)*, 楊紹明(Shao-Ming;EP), Hema EP(Hema;Mrinal), Aryadeep Mri(Aryadeep;Sheu), 許健(Gene;Chen), 陳柏安(PA
亞洲大學 2015-03 A HSPICE Macro Model for the ESD Behavior of Gate Grounded NMOS and Gate coupled NMOS Yang), 楊紹明(Shao-Ming;EP), Hema EP(Hema;Sheu), 許健(Gene;Mrinal), Aryadeep Mri(Aryadeep;Amanullah), Md. Amanulla(Md.;Chen), 陳柏安(PA
亞洲大學 2015-03 A NOVEL HSPICE MACRO MODEL FOR THE ESD BEHAVIOR BEHAVIOR BEHAVIOR BEHAVIOR OF GATE Yang), 楊紹明(Shao-Ming;Chen, P.A;Sheu), 許健(Gene
亞洲大學 2015-03 Reliability Analysis of Amorphous Silicon Thin-Film Transistors during Accelerated ESD 蔡宗叡(TSAI, JUNG-RUEY);Yang), 楊紹明(Shao-Ming;Sheu), 許健(Gene
亞洲大學 2015-03 Negative e-beam resists using for nano-imprint lithography and silicone mold fabrication Anil Kumar, (Anil Kumar, T.V.);Shy, S.L(Shy, S.L);Sheu), 許健(Gene;Yang), 楊紹明(Shao-Ming;Chen, M.C.(Chen, M.C.);Hong, C.S.(Hong, C.S.)
亞洲大學 2015-03 HIGH VOLTAGE VOLTAGE VOLTAGE NLDMOS WITH MULTIPLE-RESURF MULTIPLE-RESURF MULTIPLE-RESURF ULTIPLE-RESURF STRUCTURE STRUCTURE STRUCTURE TRUCTURE TO Yang), 楊紹明(Shao-Ming;hema;aryadeep;Sheu), 許健(Gene
亞洲大學 2015-03 .Negative e-beam resists using for nano-imprint lithography and silicone mold fabricatio Shy, S.L;Sheu), 許健(Gene;Yang), 楊紹明(Shao-Ming;Chen, M.C
亞洲大學 2015 Simulation of P-type Doping Profile Prediction Using.Applied Mechanics and Materials Vivek(Vivek);Antonious(Antonious);Sheu), 許健(Gene;erry(erry);Yang), 楊紹明(Shao-Ming
亞洲大學 2015 Optimization of Holding Voltage for 5V multi-finger NMOS using Voltage stepping simulation ARYADEEP(ARYADEEP);Sheu), 許健(Gene;Yang), 楊紹明(Shao-Ming;AUNNY(AUNNY);王俊博;Amanulla(Amanulla)

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