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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2003-02-24 GaAs/Al0.3Ga0.7As雙量子井之二維電子氣在低溫高磁場下的傳導研究 何珮綺
國立成功大學 1997 GaAs/AlAs 超晶格界面混雜現象的研究 盧炎田
國立交通大學 2014-12-12T02:17:37Z GaAs/AlAs/GaAs量子結構的導納頻譜分析 徐念慶; Hsu, Nian-Ching; 陳振芳; Jenn-Fang Chen
國立成功大學 1996 GaAs/AlAs夾層結構中的載子動力學(II) 盧炎田
國立成功大學 1995 GaAs/AlAs夾層結構的載子動力學研究 (I) 盧炎田
臺大學術典藏 2018-09-10T03:28:33Z GaAs/AlGaAs multiple quantum well GRIN-SCH vertical cavity surface emitting laser diodes Wang, YH;Tai, K;Wynn, JD;Hong, M;Fischer, RJ;Mannaerts, JP;Cho, AY; Wang, YH; Tai, K; Wynn, JD; Hong, M; Fischer, RJ; Mannaerts, JP; Cho, AY; MINGHWEI HONG
國立交通大學 2014-12-12T02:07:11Z GaAs/AlGaAs量子井電子傳輸的幾何效應 陳益德; CHEN,YI-DE; 汪大暉; WANG,DA-HUI
臺大學術典藏 2018-09-10T03:46:45Z GaAs/AlxGa1- xAs quantum well infra-red photodetectors with cutoff wavelength $λ$c= 14.9 $μ$m Zussman, A; Levine, BF; Hong, Mingyi; Mannaerts, JP; MINGHWEI HONG
國立交通大學 2014-12-12T01:53:33Z GaAs/In(0.5)Ga(0.5)P 雙接面太陽能電池磊晶與製程的設計 林志遠; Lin, Chih Yuan; 余沛慈; Yu, Pei Chen
國立臺灣大學 2009 GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer Lin, Y.R.; Lin, H.H.; Chu, J.H.
臺大學術典藏 2018-09-10T07:41:12Z GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well laser with an adjacent InAs quantum-dot layer Y. R. Lin, H. H. Lin,;J. H. Chu; Y. R. Lin, H. H. Lin,; J. H. Chu; HAO-HSIUNG LIN
國立成功大學 2009-03-16 GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 2009 GaAs0.7Sb0.3/GaAs type-II quantum well with an adjacent InAs quantum-dot stressor layer Lin, You-Ru; Lai, Yi-Feng; Liu, Chuan-Pu; Lin, Hao-Hsiung
國立交通大學 2015-11-26T00:57:08Z GaAsN/GaAs量子井中 光激發引致電滯曲線於不同溫度與電場之分析 廖思雅; Liao, Siya; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang
國立交通大學 2014-12-12T02:43:13Z GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子暫存降引致光電流抑制效應:等效電路RC時間常數分析 黃志斌; Huang, Chih-Pin; 陳振芳; Chen, Jenn-Fang
國立交通大學 2014-12-12T01:57:30Z GaAsN/GaAs量子井結構中光激發載子的光電容與光電流分析 趙俊泓; 陳振芳
國立交通大學 2018-01-24T07:40:28Z GaAsN/GaAs量子井蕭基二極體在照光下之光電容模擬 許雨堤; 陳振芳; Hsu, Yu-Ti; Chen, Jenn-Fang
臺大學術典藏 2018-09-10T09:50:18Z GaAsPSb and its application to heterojunction bipolar transistors Y. C. Chin,;H. H. Lin,;H. S. Guo,;C. H. Huang,; Y. C. Chin,; H. H. Lin,; H. S. Guo,; C. H. Huang,; HAO-HSIUNG LIN
國立成功大學 2012-05-28 GaAsSb bandgap, surface fermi level, and surface state density studied by photoreflectance modulation spectroscopy Hwang, J. S.; Tsai, J. T.; Su, I. C.; Lin, H. C.; Lu, Y. T.; Chiu, P. C.; Chyi, J. I.
國立臺灣海洋大學 2017 GaAsSb spacer effect in quasi-type-II InAs coupled-QDs for intraband absorption enhancement David Jui-Yang Feng;Yen-Ju Lin;Yun-Cheng Ku;Han-Yun Jhang;Tzy-Rong Lin;Mao-Kuen Kuo
國立臺灣海洋大學 2017-03 GaAsSb spacer effect in quasi-type-II InAs coupled-QDs for intraband absorption enhancement Mao-Kuen Kuo; David Jui-Yang Feng; Yen-Ju Lin; Yun-Cheng Ku; Han-Yun Jhang; Tzy-Rong Lin
臺大學術典藏 2020-04-28T07:14:57Z GaAsSb spacer effect in quasi-type-II InAs coupled-QDs for intraband absorption enhancement Feng, D.J.-Y.; Lin, Y.-J.; Ku, Y.-C.; Jhang, H.-Y.; Lin, T.-R.; Kuo, M.-K.; MAO-KUEN KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T05:26:31Z GaAsSb/GaAs quantum wells grown by MBE H. H. Lin,; P. W. Liu,; C. L. Tsai,; G. H. Liao,; J. Lin,; HAO-HSIUNG LIN
臺大學術典藏 2003-09 GaAsSb/GaAs type-II quantum well and its application on /spl sim/1.3 /spl mu/m laser Lin, Hao-Hsiung; Liu, Po-Wei; Chen, Jhe-Ren; Lin, Hao-Hsiung; Liu, Po-Wei; Chen, Jhe-Ren
國立臺灣大學 2003-09 GaAsSb/GaAs type-II quantum well and its application on /spl sim/1.3 /spl mu/m laser Lin, Hao-Hsiung; Liu, Po-Wei; Chen, Jhe-Ren

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