臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2021-12	Investigation of Multi-Mesa-Channel-Structured AlGaN/GaN MOSHEMTs with SiO2 Gate Oxide Layer	Jian;Jhang-Jie;Lee;Hsin-Ying;Chang;Edward-Yi;Lee;Ching-Ting
國立交通大學	2014-12-16T06:14:30Z	Copper metalized ohmic contact electrode of compound device	Lee; Cheng-Shih; Chang; Edward Yi; Chen; Ke-Shian
國立交通大學	2014-12-16T06:14:29Z	Cu-metalized compound semiconductor device	Chang; Edward Yi; Shang-Wen; Lee; Cheng-Shih
國立交通大學	2014-12-16T06:14:23Z	Structure of high electron mobility transistor, a device comprising the structure and a method of producing the same	Chang; Edward Yi.; Wu; Yun-Chi; Lin; Yueh-Chin
國立交通大學	2014-12-16T06:14:22Z	Interconnect of group III-V semiconductor device and fabrication method for making the same	Lee; Cheng-Shih; Chang; Edward Yi; Huang-Choung
元智大學	2010-12	Logic Performance of 40 nm InAslInxGat_xAs Composite Channel HEMTs	Faiz Aizad; Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Li-Han Hsu; Chien-Ying Wu; Edward Yi; Guo-Wei Huang; Szu-ping Tsai
元智大學	2010-12	Logic Performance of 40 nm InAslInxGat_xAs Composite Channel HEMTs	Faiz Aizad; Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Li-Han Hsu; Chien-Ying Wu; Edward Yi; Guo-Wei Huang; Szu-ping Tsai
元智大學	2010-12	Logic Performance of 40 nm InAslInxGat_xAs Composite Channel HEMTs	Faiz Aizad; Heng-Tung Hsu; Chien-I Kuo; Li-Han Hsu; Chien-Ying Wu; Edward Yi; Guo-Wei Huang; Szu-ping Tsai

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