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| 國立臺灣大學 |
1998 |
A study of porous silicon prepared under different HF concentrations by positron annihilation
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Huang, C. C.; Chang, I. M.; Huang, J. H.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.; Tseng, P. K. |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
Study of persistent photoconductivity in semimetallic Al0.2Ga0.8Sb/InAs quantum wells
|
Tsai, L. C.; Fan, J. C.; Chen, Y. F.; Lo, Ikai |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
Observation of Coulomb Staircases in Arsenic Precipitates in Low-Temperature Grown GaAs
|
Fan, J. C.; Yong, B. L.; Yang, Y. C.; Chen, Y. F.; Lee, W. C.; Hsu, T. M. |
| 國立臺灣大學 |
1998 |
Studies of two-subband occupied electron gas in modulation-doped In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As single quantum well by far-infrared modulated photoluminescence
|
Dai, Y. T.; Fan, J. C.; Chen, Y. F. |
| 國立臺灣大學 |
1997-08 |
Compositional Dependence of the Conduction-Band Effective Mass of InGaAsP Lattice Matched to InP
|
Fan, J.C.; Chen, Y.F.; Liu, J.S.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣大學 |
1996 |
Study of the photoluminescence instability of porous silicon under light illumination
|
Chang, I. M.; Fan, J. C.; Chen, Y. F. |
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