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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:44:10Z Electrical and compositional properties of co-silicided shallow p(+)-n junction using Si-capped/boron-doped Si1-xGex layer deposited by UHVCME Huang, HJ; Chen, KM; Chang, CY; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:44:07Z The reaction of Co and Si1-xGex for MOSFET with poly-Si1-xGex gate Chen, KM; Huang, HJ; Chang, CY; Huang, TY; Huang, GW; Chen, LP
國立交通大學 2014-12-08T15:43:58Z Schottky barrier thin-film transistor (SBTFT) with silicided source/drain and field-induced drain extension Lin, HC; Yeh, KL; Huang, RG; Lin, CY; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:51Z Electrical properties of shallow p(+)-n junction using boron-doped Si1-xGex layer deposited by ultrahigh vacuum chemical molecular epitaxy Huang, HJ; Chen, KM; Chang, CY; Chao, TS; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:41Z Post-soft-breakdown characteristics of deep submicron NMOSFETs with ultrathin gate oxide Tsai, MY; Lin, HC; Lee, DY; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:40Z X-ray photoelectron spectroscopy of gate-quality silicon oxynitride films produced by annealing plasma-nitrided Si(100) in nitrous oxide Chen, HW; Landheer, D; Chao, TS; Hulse, JE; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:37Z Conduction mechanisms for off-state leakage current of Schottky barrier thin-film transistors Yeh, KL; Lin, HC; Huang, RG; Tsai, RW; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:36Z Improved low temperature characteristics of p-channel MOSFETs with Si1-xGex raised source and drain Huang, HJ; Chen, KM; Huang, TY; Chao, TS; Huang, GW; Chien, CH; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:27Z Electrical characteristics of thin cerium oxide film on silicon substrate by reactive DC sputtering Pan, TM; Chien, CH; Lei, TF; Chao, TS; Huang, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:43:22Z Improving the RF performance of 0.18 mu m CMOS with deep n-well implantation Su, JG; Hsu, HM; Wong, SC; Chang, CY; Huang, TY; Sun, JYC

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