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| 國立臺灣大學 |
1996-09 |
Analytical current conduction model for accumulation-mode SOI PMOS devices
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Su, K.W.; Kuo, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1996 |
A velocity-overshoot capacitance model for 0.1 μm MOS transistors
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Kuo, J. B.; Chang, Y. W.; Lai, C. S. |
| 國立臺灣大學 |
1995-10 |
SiC vs. Si: two-dimensional analysis of quasi-saturation behavior of DMOS devices operating at elevated temperatures
|
Chang, Y.W.; Kuo, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1995-10 |
An analytical delayed-turn-off model for 6H-SiC buried-channel NMOS devices considering incomplete ionization
|
Su, K.W.; Kuo, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1995-10 |
Accumulation-type vs. inversion-type: narrow channel effect in VLSI mesa-isolated fully-depleted ultra-thin SOI PMOS devices
|
Su, K.W.; Kuo, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1995-09 |
A high-speed 1.5 V clocked BiCMOS latch for BiCMOS dynamic pipelined digital logic VLSI systems
|
Kuo, J.B.; Lou, J.H.; Su, K.W. |
| 臺大學術典藏 |
1995-09 |
A high-speed 1.5 V clocked BiCMOS latch for BiCMOS dynamic pipelined digital logic VLSI systems
|
Kuo, J.B.; Lou, J.H.; Su, K.W.; Kuo, J.B.; Lou, J.H.; Su, K.W.; KuoJB |
| 國立臺灣大學 |
1995-05 |
A closed-form physical back-gate-bias dependent quasi-saturation model for SOI lateral DMOS devices with self-heating for circuit simulation
|
Liu, C.M.; Shone, F.C.; Kuo, J.B. |
| 國立臺灣大學 |
1994-12 |
A 1.5 V 10 MHz BiCMOS quasi-digital vector modulator for wireless communication IC
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Su, K.W.; Chen, Y.G.; Lai, C.S.; Kuo, J.B.; Wu, J.S.; Tso, H.W. |
| 國立臺灣大學 |
1994-10 |
Back gate bias dependent quasi-saturation in a high-voltage SOI MOSFET: 2D analysis and closed-form analytical model
|
Liu, C.M.; Kuo, J.B. |
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