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機構	日期	題名	作者
國立臺灣大學	2002	0.8V CMOS Adiabatic Differential Switch Logic Circuit Using Bootstrap Technique for Low-Voltage Low-Power VLSI	Zhang, Y.; Chen, H.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2002	Closed-Form Breakdown Voltage Model for PD SOI NMOS Devices Considering Impact Ionization of Both Parasitic BJT and Surface MOS Channel Simultaneously	Lin, Shih-Chia; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2002	Closed-form analytical drain current model considering energy transport and self-heating for short-channel fully-depleted SOI NMOS devices with lightly-doped drain structure biased in strong inversion	Lin, Shih-Chia; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2001	A Novel Low-Voltage Content-Addressable-Memory (CAM) Cell with a Fast Tag-Compare Capability using Partially-Depleted (PD) SOI CMOS Dynamic-Threshold (DTMOS) Techniques	Liu, S.C.; Wu, F.A.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2001	A 1-V 128-kb four-way set-associative CMOS cache memory usingwordline-oriented tag-compare (WLOTC) structure with thecontent-addressable-memory (CAM) 10-transistor tag cell	Lin, Perng-Fei; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2000-08	A novel low-voltage silicon-on-insulator (SOI) CMOS complementary pass-transistor logic (CPL) circuit using asymmetrical dynamic threshold pass-transistor (ADTPT) technique	Wang, Bo-Ting; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2000-06	Short-channel effects of SOI partially-depleted (PD) dynamic-threshold MOS (DTMOS) devices	Lin, S.C.; Yuan, K.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2000-06	SPICE compact modeling of PD-SOI CMOS devices	Kuo, J.B.
臺大學術典藏	2000-06	SPICE compact modeling of PD-SOI CMOS devices	Kuo, J.B.; Kuo, J.B.; KuoJB
國立臺灣大學	2000-05	A novel two-port 6T CMOS SRAM cell structure for low-voltage VLSI SRAM with single-bit-line simultaneous read-and-write access (SBLSRWA) capability	Wang, B.T.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2000	A Closed-Form Back-Gate-Bias Related Inverse Narrow-Channel Effect Model for Deep-Submicron VLSI CMOS Devices Using Shallow Trench Isolation	Lin, Shih-Chia; Kuo, J.B.; Huang, Kuo-Tai; Sun, Shih-Wei
國立臺灣大學	2000	A High-Speed Conditional Carry Select (CCS) Adder Circuit with a Successively Incremented Carry Number Block (SICNB) Structure for Low-Voltage VLSI Implementation	Huang, Yen-Mou; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1999-10	A novel 0.7 V two-port 6T SRAM memory cell structure with single-bit-line simultaneous read-and-write access (SBLSRWA) capability using partially-depleted SOI CMOS dynamic-threshold technique	Liu, S.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1999	Temperature-dependent kink effect model for partially-depleted SOINMOS devices	Lin, S.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1999	A 1.5-V CMOS all-N-logic true-single-phase bootstrappeddynamic-logic circuit suitable for low supply voltage and high-speedpipelined system operation	Lou, J.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1999	Bandgap Narrowing	Kuo, J. B.
國立臺灣大學	1999	A CMOS Semi-Static Latch Circuit without Charge Sharing and Leakage Current Problems	Lin, P. F.; Kuo, J. B.
國立臺灣大學	1999	A Low-Voltage Semi-Dynamic DCVSPG-Domino Logic Circuit	Lou, J. H.; Kuo, J. B.
國立臺灣大學	1999	Modeling of Deep-Submicron SOI CMOS VLSI Devices	Kuo, J. B.
國立臺灣大學	1998-09	1.5 V CMOS bootstrapped dynamic logic circuit techniques (BDLCT) suitable for low-voltage deep-submicron CMOS VLSI for implementing 482 MHz digital quadrature modulator and adder	Lou, J.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1997-10	Compact current model for mesa-isolated fully-depleted ultrathin SOI NMOS devices considering sidewall-related narrow channel effects	Kuo, J.B.; Su, K.W.
臺大學術典藏	1997-10	Compact current model for mesa-isolated fully-depleted ultrathin SOI NMOS devices considering sidewall-related narrow channel effects	Kuo, J.B.; Su, K.W.; Kuo, J.B.; Su, K.W.; KuoJB
國立臺灣大學	1997-08	A 1.5 V CMOS high-speed 16-bit÷8-bit divider using the quotient-select architecture and true-single-phase bootstrapped dynamic circuit techniques suitable for low-voltage VLSI	Yeh, C.C.; Lou, J.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1997-08	A 1.5 V bootstrapped pass-transistor-based carry look-ahead circuit suitable for low-voltage CMOS VLSI	Lou, J.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	1997-07	1.5 V CMOS full-swing energy efficient logic (EEL) circuit suitable for low-voltage and low-power VLSI applications	Yeh, C.C.; Lou, J.H.; Kuo, J.B.

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