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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2017-04-21T06:56:38Z Step buffer layer of Al0.25Ga0.75N/Al0.08Ga0.92N on P-InAlN gate normally-off high electron mobility transistors Shrestha, Niraj M.; Li, Yiming; Chang, E. Y.
國立交通大學 2017-04-21T06:56:23Z Exploration of Inter-Die Bulk Fin-Typed Field Effect Transistor Process Variation for Reduction of Device Variability Su, Ping-Hsun; Li, Yiming
國立交通大學 2017-04-21T06:56:23Z A Systematic Approach to Correlation Analysis of In-Line Process Parameters for Process Variation Effect on Electrical Characteristic of 16-nm HKMG Bulk FinFET Devices Su, Ping-Hsun; Li, Yiming
國立交通大學 2017-04-21T06:56:22Z Impact of silicon quantum dot super lattice and quantum well structure as intermediate layer on p-i-n silicon solar cells Rahman, Mohammad Maksudur; Lee, Ming-Yi; Tsai, Yi-Chia; Higo, Akio; Sekhar, Halubai; Igarashi, Makoto; Syazwan, Mohd Erman; Hoshi, Yusuke; Sawano, Kentarou; Usami, Noritaka; Li, Yiming; Samukawa, Seiji
國立交通大學 2017-04-21T06:56:14Z Simulation Study of Multilayer Si/SiC Quantum Dot Superlattice for Solar Cell Applications Tsai, Yi-Chia; Lee, Ming-Yi; Li, Yiming; Rahman, Mohammad Maksudur; Samukawa, Seiji
國立交通大學 2017-04-21T06:56:02Z Low Power and High Driving Capability of Amorphous Silicon Gate Driver Circuit Chiang, Chien-Hsueh; Li, Yiming
國立交通大學 2017-04-21T06:55:49Z Optimal design of the multiple-apertures-GaN-based vertical HEMTs with SiO2 current blocking layer Shrestha, Niraj Man; Li, Yiming; Chang, Edward Yi
國立交通大學 2017-04-21T06:55:39Z Process-Dependence Analysis for Characteristic Improvement of Ring Oscillator Using 16-nm Bulk FinFET Devices Su, Ping-Hsun; Li, Yiming
國立交通大學 2017-04-21T06:55:35Z 32-nm Multigate Si-nTFET With Microwave-Annealed Abrupt Junction Hou, Fu-Ju; Sung, Po-Jung; Hsueh, Fu-Kuo; Wu, Chien-Ting; Lee, Yao-Jen; Chang, Mao-Nang; Li, Yiming; Hou, Tuo-Hung
國立交通大學 2017-04-21T06:55:31Z Optimal Geometry Aspect Ratio of Ellipse-Shaped Surrounding-Gate Nanowire Field Effect Transistors Li, Yiming

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