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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-03T06:39:50Z Energy states and magnetization in nanoscale quantum rings Voskoboynikov, O; Li, YM; Lu, HM; Shih, CF; Lee, CP
國立交通大學 2014-12-08T15:44:47Z A mixed lubrication model for computer simulation of extrusion processes Hsu , TC; Li, YM; Hung, CH
國立交通大學 2014-12-08T15:44:23Z Energy and coordinate dependent effective mass and confined electron states in quantum dots Li, YM; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:18Z Electron energy level calculations for cylindrical narrow gap semiconductor quantum dot Li, YM; Liu, JL; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:13Z Computer simulation of electron energy levels for different shape InAs/GaAs semiconductor quantum dots Li, YM; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:43:08Z Electron energy state dependence on the shape and size of semiconductor quantum dots Li, YM; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM; Tretyak, O
國立交通大學 2014-12-08T15:43:08Z A new parallel adaptive finite volume method for the numerical simulation of semiconductor devices Li, YM; Liu, JL; Chao, TS; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:42:33Z Effect of shape and size on electron transition energies of InAs semiconductor quantum dots Li, YM; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM; Tretyak, O
國立交通大學 2014-12-08T15:42:29Z A computational method for energy level spin splitting simulation in InAs/GaAs semiconductor quantum dots Li, YM; Voskoboynikov, O; Lee, CP; Sze, SM; Tretyak, O
國立交通大學 2014-12-08T15:42:10Z A domain partition approach to parallel adaptive simulation of dynamic threshold voltage MOSFET Li, YM; Chao, TS; Sze, SM

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