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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:42:17Z A study of subbands in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor structures using low-temperature photoluminescence spectroscopy Fang, CY; Lin, CF; Chang, EY; Feng, MS
國立交通大學 2014-12-08T15:42:04Z Gallium nitride nanorods fabricated by inductively coupled plasma reactive ion etching Yu, CC; Chu, CF; Tsai, JY; Huang, HW; Hsueh, TH; Lin, CF; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:42:03Z Electrical and optical properties of beryllium-implanted Mg-doped GaN Yu, CC; Chu, CF; Tsai, JY; Lin, CF; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:41:18Z Comparison of p-side down and p-side up GaN light-emitting diodes fabricated by laser lift-off Chu, CF; Yu, CC; Cheng, HC; Lin, CF; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:40:54Z Correlation between dewatering index and dewatering performance of three mechanical dewatering devices Pan, JRS; Huang, CP; Cherng, MY; Li, KC; Lin, CF
國立交通大學 2014-12-08T15:40:39Z Etching damages on AlGaN, GaN and InGaN caused by hybrid inductively coupled plasma etch and photoenhanced chemical wet etch by Schottky contact characterizations Fang, CY; Huang, WJ; Chang, EY; Lin, CF; Feng, MS
國立交通大學 2014-12-08T15:39:44Z MOCVD growth of high-performance InGaAsP/InGaP strain-compensated VCSELs with 850 nm emission wavelength Kuo, HC; Chang, YS; Lin, CF; Lu, TC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:44Z Characteristics of stable emission GaN-based resonant-cavity light-emitting diodes Lin, CF; Yao, HH; Lu, JW; Hsieh, YL; Kuo, HC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:36Z MOCVD growth of AlN/GaN DBR structures under various ambient conditions Yao, HH; Lin, CF; Kuo, HC; Wang, SC
國立交通大學 2014-12-08T15:39:26Z Effect of rapid thermal annealing on beryllium implanted p-type GaN Huang, HW; Kao, CC; Tsai, JY; Yu, CC; Chu, CF; Lee, JY; Kuo, SY; Lin, CF; Kuo, HC; Wang, SC

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