|
English
|
正體中文
|
简体中文
|
总笔数 :0
|
|
造访人次 :
52813473
在线人数 :
679
教育部委托研究计画 计画执行:国立台湾大学图书馆
|
|
|
"lin yh"的相关文件
显示项目 231-240 / 608 (共61页)
<< < 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 > >>
每页显示[10|25|50]项目
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:18:22Z |
Motion associated with a single rouse segment versus the alpha relaxation. 2
|
Lin, YH |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:17:45Z |
Reduction of donor-like interface traps of n-type metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors using hydrogen-annealed wafer and in-situ HF-vapor treatment
|
Chao, TS; Lin, YH; Yang, WL |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:16:53Z |
Novel two-bit HfO2 nanocrystal nonvolatile flash memory
|
Lin, YH; Chien, CH; Lin, CT; Chang, CY; Lei, TF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:16:41Z |
Annealing temperature effect on the performance of nonvolatile HfO2Si-oxide-nitride-oxide-silicon-type flash memory
|
Lin, YH; Chien, CH; Chang, CY; Lei, TF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:33Z |
SUPPRESSION OF BORON PENETRATION IN PMOS BY USING BRIDE GETTERING EFFECT IN POLY-SI GATE
|
LIN, YH; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:26Z |
THIN POLYOXIDE ON THE TOP OF POLY-SI GATE TO SUPPRESS BORON PENETRATION FOR PMOS
|
LIN, YH; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:22Z |
NITRIDATION OF THE STACKED POLY-SI GATE TO SUPPRESS THE BORON PENETRATION IN PMOS
|
LIN, YH; LAI, SC; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:02:33Z |
Nitridization of the stacked poly-Si gate to suppress the boron penetration in pMOS
|
Lin, YH; Lai, CS; Lee, CL; Lei, TF; Chao, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:02:30Z |
Dynamics of a ''Rouse'' segment as probed by depolarized photon-correlation and viscoelasticity measurements
|
Lin, YH; Lai, CS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:01:30Z |
Monitoring trapped charge generation for gate oxide under stress
|
Lin, YH; Lee, CL; Lei, TF |
显示项目 231-240 / 608 (共61页)
<< < 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 > >>
每页显示[10|25|50]项目
|
