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教育部委託研究計畫 計畫執行:國立臺灣大學圖書館
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| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:18:22Z |
Motion associated with a single rouse segment versus the alpha relaxation. 2
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Lin, YH |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:17:45Z |
Reduction of donor-like interface traps of n-type metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors using hydrogen-annealed wafer and in-situ HF-vapor treatment
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Chao, TS; Lin, YH; Yang, WL |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:16:53Z |
Novel two-bit HfO2 nanocrystal nonvolatile flash memory
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Lin, YH; Chien, CH; Lin, CT; Chang, CY; Lei, TF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:16:41Z |
Annealing temperature effect on the performance of nonvolatile HfO2Si-oxide-nitride-oxide-silicon-type flash memory
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Lin, YH; Chien, CH; Chang, CY; Lei, TF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:33Z |
SUPPRESSION OF BORON PENETRATION IN PMOS BY USING BRIDE GETTERING EFFECT IN POLY-SI GATE
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LIN, YH; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:26Z |
THIN POLYOXIDE ON THE TOP OF POLY-SI GATE TO SUPPRESS BORON PENETRATION FOR PMOS
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LIN, YH; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:22Z |
NITRIDATION OF THE STACKED POLY-SI GATE TO SUPPRESS THE BORON PENETRATION IN PMOS
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LIN, YH; LAI, SC; LEE, CL; LEI, TF; CHAO, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:02:33Z |
Nitridization of the stacked poly-Si gate to suppress the boron penetration in pMOS
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Lin, YH; Lai, CS; Lee, CL; Lei, TF; Chao, TS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:02:30Z |
Dynamics of a ''Rouse'' segment as probed by depolarized photon-correlation and viscoelasticity measurements
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Lin, YH; Lai, CS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:01:30Z |
Monitoring trapped charge generation for gate oxide under stress
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Lin, YH; Lee, CL; Lei, TF |
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