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國立交通大學 2014-12-13T10:38:07Z 次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:38:06Z 單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:37:11Z 穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:36:59Z 深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:36:19Z RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:36:03Z CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:35:26Z 一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:35:03Z 一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:34:14Z 超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:33:38Z 超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:33:04Z 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(I) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:32:13Z 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(I) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:32:05Z 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:31:01Z 雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:30:53Z 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:30:06Z 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(II) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:29:52Z 奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(III) 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:29:48Z 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:29:41Z RF CMOS之特性量測、模式建立與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:28:37Z 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:28:34Z 單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:28:33Z 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-12T02:51:24Z 先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬 唐俊榮; Tang, Chun-Jung; 汪大暉; Wang, Tahui
國立交通大學 2014-12-12T02:47:19Z 超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討 陳旻政; Chen, Min-Cheng; 汪大暉; Wang Tahui
國立交通大學 2014-12-12T02:33:39Z 高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式 李啟偉; Li, Chi-Wei; 汪大暉; Wang, Tahui

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