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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-13T10:38:07Z	次微米元件內氧化層缺陷暫態特性量測技術	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:38:06Z	單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:37:11Z	穿隧氧化層內漏電流之暫態特性與物理機制	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:59Z	深次微米元件內熱載子效應所造成汲極漏電流特性退化之研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:19Z	RF CMOS 雜訊分析與可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:36:03Z	CMOS發光顯像技術與閘極介電層材料研究---中加合作案(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:35:26Z	一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:35:03Z	一種新式氮化矽快閃式記憶元件研究(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:34:14Z	超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:33:38Z	超薄閘極氧化層CMOS元件軟崩潰效應研究(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:33:04Z	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:32:13Z	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(I)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:32:05Z	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:31:01Z	雙位元儲存氮化矽快閃式記憶元件技術及可靠性(III)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:30:53Z	電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:30:06Z	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(II)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:29:52Z	奈米CMOS元件量子效應與電荷傳輸模擬及電性與可靠性分析(III)	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:29:48Z	次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:29:41Z	RF CMOS之特性量測、模式建立與可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:28:37Z	次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:28:34Z	單電荷與輻射效應在先進CMOS 和SONOS 元件可靠性之統計量測與模式	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-13T10:28:33Z	次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬	汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學	2014-12-12T02:51:24Z	先進互補式金氧半電晶體及氮化矽快閃式記憶元件之可靠度分析和蒙地卡羅模擬	唐俊榮; Tang, Chun-Jung; 汪大暉; Wang, Tahui
國立交通大學	2014-12-12T02:47:19Z	超薄氧化層絕緣層上覆矽元件中軟式崩潰所引發之可靠性議題的探討	陳旻政; Chen, Min-Cheng; 汪大暉; Wang Tahui
國立交通大學	2014-12-12T02:33:39Z	高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式	李啟偉; Li, Chi-Wei; 汪大暉; Wang, Tahui

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