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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2015-07-21T08:28:33Z Cycling-Induced SET-Disturb Failure Time Degradation in a Resistive Switching Memory Chung, Yueh-Ting; Su, Po-Cheng; Cheng, Yu-Hsuan; Wang, Tahui; Chen, Min-Cheng; Lu, Chih-Yuan
國立交通大學 2014-12-13T10:51:20Z 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:50:25Z 次50奈米二位元儲存氮化矽快閃式記憶體元件之結構、電荷傳輸與可靠性研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:47:45Z 薄氧化層中漏電流與Soft Breakdown特性與機制研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:46:43Z 次32奈米CMOS元件可靠性分析、量子結構效應、與蒙地卡羅電荷傳輸模擬 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:46:03Z 電阻式記憶元件操作特性與可靠性之統計測量及三度空間原子與電荷傳輸模擬 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:45:53Z 奈米SONOS元件內單電子效應、可靠性物理及創新研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:44:07Z 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:42:19Z 奈米SONOS元件內單電子效應,可靠性物理及創新研究 汪大暉; WANG TAHUI
國立交通大學 2014-12-13T10:42:17Z 量子線矽、鍺、砷化鎵奈米CMOS元件內電荷傳輸模擬與可靠性 汪大暉; WANG TAHUI

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