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| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:24Z |
INTERFACIAL LAYER-THERMIONIC-DIFFUSION THEORY FOR THE SCHOTTKY-BARRIER DIODE
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WU, CY |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:23Z |
OXIDATION RESISTANCE CHARACTERISTICS OF SILICON THERMAL NITRIDE FILMS
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WU, CY; KING, CW; LEE, MK; CHEN, CT; SHIH, CT |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:23Z |
TEMPERATURE COEFFICIENTS OF THE OPEN-CIRCUIT VOLTAGE OF P-N-JUNCTION SOLAR-CELLS
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WU, CY; CHEN, JF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:23Z |
GROWTH-KINETICS OF SILICON THERMAL NITRIDATION
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WU, CY; KING, CW; LEE, MK; CHEN, CT |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:22Z |
A COMPUTER-AIDED SIMULATION-MODEL FOR THE IV CHARACTERISTIC OF M-N-P SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES PRODUCED BY USE OF LOW-ENERGY ARSENIC-ION IMPLANTATION
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WU, CY; CHANG, MC; SHEY, AJ |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:22Z |
A HIGH-DENSITY MOS STATIC RAM CELL USING THE LAMBDA BIPOLAR-TRANSISTOR
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WU, CY; LIU, YF |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:21Z |
A NEW HIGH-POWER VOLTAGE-CONTROLLED DIFFERENTIAL NEGATIVE-RESISTANCE DEVICE - THE LAMBDA-BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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WU, CY; LEE, CS |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:21Z |
THE EFFECT OF THE MINORITY-CARRIER DISTRIBUTION ON THE THRESHOLD VOLTAGE OF A MOSFET
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WU, CY; CHIEN, HC |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:20Z |
A NEW INTERNAL OVERVOLTAGE PROTECTION STRUCTURE FOR THE BIPOLAR POWER TRANSISTOR
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WU, CY |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:06:19Z |
A NEW DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY CELL USING A BIPOLAR MOS COMPOSITE STRUCTURE
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WU, CY |
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