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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2019-08-02T02:15:26Z	The effect of hydrogen on programmed threshold-voltage distribution in NAND flash memories	Chiu, Yung-Yueh; Lin, Cheng-Han; Yang, Jhih-Siang; Yang, Bo-Jun; Aoki, Minoru; Takeshita, Toshiaki; Yano, Masaru; Shirota, Riichiro
國立交通大學	2018-01-24T07:41:36Z	探討快閃記憶體元件製程中氫氣濃度對可靠度特性影響分析之研究	楊智翔; 白田理一郎; Yang,Jhih-Siang; Riichiro Shirota

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