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机构	日期	题名	作者
國立臺灣大學	2009	Closed-Form Partitioned Gate Tunneling Current Model for NMOS Devices with an Ultra-thin Gate Oxide	Lin, C.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2008	Gate-Level Dual-Threshold Static Power Optimization Methodology (GDSPOM) Using Path-Based Static Timing Analysis (STA) Technique for SOC Application	Chung, B.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2008	Breakdown Behavior of 40-nm PD-SOI NMOS Device Considering STI-Induced Mechanical Stress Effect	Su, V.C.; Lin, I.S.; Kuo, J.B.; Lin, G.S.; Chen, D.; Yeh, C.S.; Tsai, C.T.; Ma, M.
國立臺灣大學	2007	Narrow Band Gap Semiconductor	Lin, H. H.; Kuo, J. B.
國立臺灣大學	2007	Narrow Bandgap Semiconductor	Lin, H. H.; Kuo, J. B.
國立臺灣大學	2006-02	Partitioned gate tunnelling current model considering distributed effect for CMOS devices with ultra-thin (1 nm) gate oxide	Lin, C.H.; Kuo, J.B.; Su, K.W.; Liu, S.
國立臺灣大學	2006	Gate capacitances behavior of nanometer FD SOI CMOS devices with HfO2 high-k gate dielectric considering vertical and fringing displacement effects using 2-D Simulation	Lin, Yu-Sheng; Lin, Chia-Hong; Kuo, J.B.; Su, Ke-Wei
國立臺灣大學	2006	Analysis of the gate-source/drain capacitance behavior of a narrow-channel FD SOI NMOS device considering the 3-D fringing capacitances using 3-D simulation	Chen, Chien-Chung; Kuo, J.B.; Su, Ke-Wei; Liu, Sally
國立臺灣大學	2005-05	Energy-efficient CMOS large-load driver circuit with the complementary adiabatic/bootstrap (CAB) technique for low-power TFT-LCD system applications	Liu, G.Y.; Wang, N.C.; Kuo, J.B.
臺大學術典藏	2005-05	Energy-efficient CMOS large-load driver circuit with the complementary adiabatic/bootstrap (CAB) technique for low-power TFT-LCD system applications	Liu, G.Y.; Wang, N.C.; Kuo, J.B.; Liu, G.Y.; Wang, N.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2005-04	0.7 V Manchester carry look-ahead circuit using PD SOI CMOS asymmetrical dynamic threshold pass transistor techniques suitable for low-voltage CMOS VLSI systems	Chiang, T.Y.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2004-12	A 0.8 V CMOS TSPC adiabatic DCVS logic circuit with the bootstrap technique for low-power VLSI	Chen, H.P.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2004-07	Evolution of low-voltage CMOS digital VLSI circuits using bootstrap technique	Kuo, J.B.
臺大學術典藏	2004-07	Evolution of low-voltage CMOS digital VLSI circuits using bootstrap technique	Kuo, J.B.Kuojb; Kuo, J.B.; KuoJB
國立臺灣大學	2004-04	Low-Voltage SOI CMOS VLSI Devices and Circuits	Lin, S. C.; Kuo, J. B.
國立臺灣大學	2004-03	CMOS Digital IC	Kuo, J. B.
國立臺灣大學	2004	A Compact Threshold Voltage Model for Gate Misalignment Effect of DG FD SOI NMOS Devices Considering Fringing Electric Field Effects	Kuo, J.B.; Sun, E.C.
國立臺灣大學	2003-11	Analysis of gate misalignment effect on the threshold voltage of double-gate (DG) ultrathin fully-depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) NMOS devices using a compact model considering fringing electric field effect	Kuo, J.B.; Sun, E.C.; Lin, M.T.
臺大學術典藏	2003-11	Analysis of gate misalignment effect on the threshold voltage of double-gate (DG) ultrathin fully-depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) NMOS devices using a compact model considering fringing electric field effect	Kuo, J.B.; Sun, E.C.; Lin, M.T.Kuojb; Kuo, J.B.; Sun, E.C.; Lin, M.T.; KuoJB
國立臺灣大學	2003	Ultra-Low-Voltage SOI CMOS Inverting Driver Circuit Using Effective Charge Pump Based on Bootstrap Technique	Chen, J.H.T.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2003	Modeling the Fringing Electric Field Effect on the Threshold Voltage of FD SOI NMOS Devices with the LDD/Sidewall Oxide Spacer Structure	Lin, S.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2002-03-14	Sub-I V CMOS large capacitive-load driver circuit using direct bootstrap technique for ' low-voltage CMOS VLSI	Chen, P.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2002	Compact threshold-voltage model for short-channelpartially-depleted (PD) SOI dynamic-threshold MOS (DTMOS) devices	Kuo, J.B.; Yuan, Kuo-Hua; Lin, Shih-Chia
國立臺灣大學	2002	Sub-1 V CMOS large capacitive-load driver circuit using directbootstrap technique for low-voltage CMOS VLSI	Chen, P.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學	2002	A 0.8-V 128-Kb Four-Way Set-Associative Two-Level CMOS Cache Memory Using Two-Stage Wordline/Bitline-Oriented Tag-Compare (WLOTC/BLOTC) Scheme	Lin, Perng-Fei; Kuo, J.B.

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