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| 國立臺灣大學 |
2011 |
金氧半結構電容-電壓特性之深空乏現象
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陳冠銘; Chen, Kuan-Ming |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:46:30Z |
金氧半製程之次兆赫茲接收機型式鎖相迴路電路設計
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王艶婷; Wang, Yan-Ting; 陳巍仁; Chen, Wei-Zen |
| 國立臺灣科技大學 |
1999 |
金氧半閘電磁干擾效應的預估
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陳中信 |
| 國立臺灣大學 |
2016 |
金氧半電容元件在反轉區光感應特性及其光敏感度之提升
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楊彰臺; Yang, Chang-Tai |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:51:33Z |
金氧半電晶體中通道不均勻由RTN引發電流擾動效應
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薛至宸; 汪大暉 |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:02:39Z |
金氧半電晶體之薄閘極氧化層的製作與特性分析
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何昭煌; He, Zhao-Huang; 李崇仁; 任建葳; Li, Chong-Ren; Ren, Jian-Wei |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:23Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的溫度效應
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劉家瑋; Liu, Chia-Wei; 汪大暉; Wang Tahui |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:51Z |
金氧半電晶體內界面缺陷所產生汲極漏電流的物理機制與實驗量測
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汪大暉; WANG TAHUI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:03:07Z |
金氧半電晶體在暫態分析上的動態轉換曲線和CEC 方法
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任崇民; REN, CHONG-MIN; 李崇仁; 任建葳; LI, CHONG-REN; REN, JIAN-WEI |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:05:51Z |
金氧半電晶體在超薄閘極層(30-100A°)下之特性分析
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趙亮; ZHAO, LIANG; 李崇仁; 雷添福; LI, CHONG-REN; LEI, TIAN-FU |
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