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机构 日期 题名 作者
國立臺灣大學 2004 Growth mechanism, structure and IR photoluminescence studies of indium nitride nanorods Lan, Z. H.; Wang, W. M.; Sun, C. L.; Shi, S. C.; Hsu, C. W.; Chen, T. T.; Chen, K. H.; Chen, C. C.; Chen, Y. F.; Chen, L. C.
國立中山大學 1984 Growth Mechanisms of the GaAs LPMOCVD Growth C.Y. Chang;M.K. Lee;Y.K. Su;Y.C. Chou;L.P. Chen
臺北市立大學 1997 Growth Mode and Inter-Diffusion of Co on Pt(ll1) J. S. Tsay; Y. E. Wu; C. S. Shern; 吳月娥; 沈青嵩
國立交通大學 2014-12-08T15:10:07Z Growth mode and novel structure of ultra-thin KCl layers on the Si(100)-2 x 1 surface Tsay, S-F.; Chung, J. Y.; Hsieh, M-F.; Ferng, S-S.; Lou, C-T.; Lin, D-S.
國立交通大學 2019-04-02T05:59:41Z Growth mode and novel structure of ultra-thin KCl layers on the Si(100)-2 x 1 surface Tsay, S-F.; Chung, J. Y.; Hsieh, M-F.; Ferng, S-S.; Lou, C-T.; Lin, D-S.
國立中山大學 2009 Growth mode and novel structure of ultra-thin KCl layers on the Si(100)-2x1 surface S.F. Tsay;J.Y. Chung;M.F. Hsieh;S.S. Ferng;C.T. Lou;D.S. Lin
國立中山大學 2005-02 Growth mode and surface morphology of epitaxial Pt(111) grown on Al2O3(11-20) substrates studied by scanning tunneling microscopy Y.C. Liu;J.H. Lai;C.C. Kuo;J.C.A. Huang
臺大學術典藏 1992 Growth Mode at the Inital Stage of InxGa1-xAs(0.28≦X≦1) on (100) GaAs by Molecular Beam Epitaxy Chang, Sin-Zee; Chang, T. C.; Lee, Si-Chen; Chang, Sin-Zee; Chang, T. C.; 李嗣涔; Chang, T. C.; Lee, Si-Chen
國立臺灣大學 1992 Growth Mode at the Inital Stage of InxGa1-xAs(0.28≦X≦1) on (100) GaAs by Molecular Beam Epitaxy Chang, Sin-Zee; Chang, T. C.; 李嗣涔; Chang, Sin-Zee; Chang, T. C.; Lee, Si-Chen
國立交通大學 1998-05-15 Growth mode in Si(100)-(2x1) epitaxy by low-temperature chemical-vapor deposition Wu, PH; Lin, DS

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