臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	1998-06	High-breakdown characteristics of the InP-based heterostructure field-effect transistor with In0.34Al0.66As0.85Sb0.15 Schottky layer	Su, Jan-Shing; Hsu, Wei-Chou; Lin, Wei; Jain, Shin-Yuh
國立成功大學	2023	High-Breakdown P-Channel GaN MOS-HFETs With Al2O3-Dielectric and Drain Field-Plate	Ke, J.-H.;Lee, C.-S.;Li, Y.-X.;Hsu, W.-C.
國立高雄師範大學	2002	High-Breakdown Voltage Heterostructure Fields-Effect Transistor for High Temperature Operations	Jung-Hui Tsai;Jung-Hui Tsai;Wen-Lung Chang;Kuo-Hui Yu;Kun-Wei Lin; 蔡榮輝
臺大學術典藏	2018-09-10T05:58:42Z	High-breakdown-voltage Ga/sub 0.51/In/sub 0.49/P channel MESFET's grown by GSMBE	Lin, Y.-S.; Lu, S.-S.; Lu, S.-S.
國立臺灣大學	1996	High-breakdown-voltage Ga0.51In0.49P channel MESFET's grown by GSMBE	Lin, Yo-Sheng; Lu, Shey-Shi
國立臺灣大學	1995	High-breakdown-voltage Ga0.51In0.49P/GaAs I-HEMT and I2HEMT with a GaInP passivation layer grown by gas source molecular beam epitaxy	Lu, S. S.; Huang, C. L.; Sun, T. P.
臺大學術典藏	2018-09-10T05:23:37Z	High-breakdown-voltage Ga0.51In0.49P/GaAs I-HEMT and I2HEMT with a GaInP passivation layer grown by gas source molecular beam epitaxy	Sun, T.P.; Huang, C.L.; Lu, S.S.; Lu, S.S.
國立交通大學	2020-07-01T05:21:20Z	High-brightness and high-speed vertical cavity surface-emitting laser arrays	Khan, Zuhaib; Shih, Jie-Chen; Chao, Rui-Lin; Tsai, Tzong-Liang; Wang, Hsin-Chuan; Fan, Gang-Wei; Lin, Yu-Chen; Shi, Jin-Wei
國立成功大學	2017	High-Brightness Blue and White LEDs based on Inorganic Perovskite Nanocrystals and their Composites	Yao, E.-P.;Yang, Z.;Meng, L.;Sun, P.;Dong, S.;Yang, Yang Y.;Yang, Yang Y.
國立交通大學	2014-12-08T15:12:33Z	High-brightness InGaN-GaN flip-chip light-emitting diodes with triple-light scatteriny layers	Lee, Chia-En; Lee, Yea-Chen; Kuo, Hao-Chung; Lu, Tien-Chang; Wang, Shing-Chung

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