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机构	日期	题名	作者
國立高雄師範大學	2002-12	Leakage Current Improvement of AlGaN/GaN HFETs by High Resistive Mg-Doped GaN Layer	Ruey-Lue Wang;S. C. Wei;Y. K. Su;S. J. Chang;R. L. Wang;T. H. Hsu; 王瑞祿
國立中山大學	2007	Leakage Current Improvement of Liquid Phase Deposited TixSi(1-x)Oy Films on Amorphous Silicon with Ammonium Hydroxide Incorporation by Post Metallization Annealing	Ming-Kwei Lee; Hung-Chang Lee; Chih-Te Chang; Chih-Min Hsu
國立交通大學	2014-12-08T15:15:07Z	Leakage current improvement of Ni/TiNiO/TaN metal-insulator-metal capacitors using optimized N+ plasma treatment and oxygen annealing	Huang, C. C.; Cheng, C. H.; Chin, Albert; Chou, C. P.
修平科技大學	2004-03	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M. C. Kao;Y. C. Chen;H. Z. Chen;C. M. Wang;Yi-Ju Li
國立中山大學	2004	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M.C. Kao; Y.C. Chen; H.Z. Chen; C.M. Wang; Y.J. Li
國立中山大學	2003-08	Leakage Current Mechanisms in Rapid Thermal Annealed LiTaO3 Thin Films Prepared by a Diol-Based Sol-Gel Method	M.C. Kao;Y.C. Chen;H.Z. Chen;C.M. Wang;Y.J. Li
國立交通大學	2014-12-08T15:02:33Z	Leakage current reduction in chemical-vapor-deposited Ta2O5 films by rapid thermal annealing in N2O	Sun, SC; Chen, TF
國立交通大學	2019-04-02T05:58:30Z	Leakage current reduction in chemical-vapor-deposited Ta2O5 films by rapid thermal annealing in N2O	Sun, SC; Chen, TF
國立交通大學	2014-12-08T15:46:43Z	Leakage current reduction of chemical-vapor-deposited Ta2O5 films on rugged polycrystalline silicon electrode for dynamic random access memory application	Lin, M; Chang, CY; Huang, TY; Shieh, WY
國立彰化師範大學	2011-05	Leakage Currents Through In/MgO/n-type Si/In Structures	Tsao, Hou-Yen; Lin, Yow-Jon; Chen, Ya-Hui; Chang, Hsing-Cheng

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