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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2015-12-04T07:03:12Z GATE STRUCTURE CHANG Yi; KUO Chien-I; HSU Heng-Tung
國立成功大學 2017 Gate structure engineering for enhancement-mode AlGaN/GaN MOSHEMT Liu, H.-Y.;Lee, C.-S.;Lin, C.-W.;Chiang, M.-H.;Hsu, W.-C.
國立交通大學 2014-12-16T06:16:19Z Gate structure of metal oxide semiconductor field effect transistor Bing-Yue, Tsui; Chih-Feng, Huang
國立交通大學 2019-04-03T06:43:59Z Gate tunable spin-orbit coupling and weak antilocalization effect in an epitaxial La2/3Sr1/3MnO3 thin film Chiu, Shao-Pin; Yamanouchi, Michihiko; Oyamada, Tatsuro; Ohta, Hiromichi; Lin, Juhn-Jong
臺大學術典藏 2018-09-10T08:18:06Z Gate tunneling leakage current behavior of 40 nm PD SOI NMOS device considering the floating body effect H. J. Hung;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
臺大學術典藏 2018-09-10T07:41:37Z Gate Tunneling Leakage Current Behavior of 40nm PD SOI NMOS Device Considerign the Floating Body Effect H. J. Hung;J. B. Kuo;D. Chen;C. S. Yeh; H. J. Hung; J. B. Kuo; D. Chen; C. S. Yeh; JAMES-B KUO
國立高雄師範大學 2010 Gate voltage swing enhancement of an InGaP/InGaAs pseudomorphic HFET with low-to-high double doping channels Jung-Hui Tsai;Wen-Shiung Lour;Chia-Hua Huang;Sheng-Shiun Ye;Yung-Chun Ma; 蔡榮輝
國立臺灣海洋大學 2010-10-28 Gate voltage swing enhancement of InGaP/ InGaAs pseudomorphic HFET with low-to-high double doping channels J.-H. Tsai; W.-S. Lour; C.-H. Huang; S.-S. Ye; Y.-C. Ma
臺大學術典藏 2018-09-10T07:04:10Z Gate width dependence on backscattering characteristics in the nanoscale strained complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Liao, M.H.; Liu, C.W.; Yeh, L.; Lee, T.-L.; Liang, M.-S.; CHEE-WEE LIU
臺大學術典藏 2020-01-13T08:22:40Z Gate width dependence on backscattering characteristics in the nanoscale strained complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor Liao, M.H.; Liu, C.W.; Yeh, L.; Lee, T.-L.; Liang, M.-S.; MING-HAN LIAO

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