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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-13T10:45:50Z GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究 謝宗雍; HSIEH TSUNG-EONG
國立交通大學 2014-12-13T10:46:33Z GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究 謝宗雍; HSIEH TSUNG-EONG
國立交通大學 2014-12-13T10:50:52Z GeSbTe薄膜之摻雜、電性質分析及其應用於相變化記憶體(PRAM)元件之研究 謝宗雍; HSIEH TSUNG-EONG
國立臺灣大學 2001-08 Geschlechterdifferenz:「性別差異」,一個公/私領域分化歷史中的特殊概念 陳妙芬
國家衛生研究院 2016-06 GESDB: A platform of simulation resources for genetic epidemiology studies Yao, PJ;Chung, RH
國立政治大學 2012 Gesetz und Vertrag, in: Werner Heun/Christian Starck(Hrsg.) 林佳和
國立臺灣大學 2000 Geske Johnson pricing of long maturity American and Infinite Bermudan option Shackleton, Mark B.; Chung, S.L
臺大學術典藏 2020-06-11T06:20:29Z GeSn N-FinFETs and NiGeSn contact formation by phosphorus implant Chuang, Y.;Huang, H.-C.;Li, J.-Y.; Chuang, Y.; Huang, H.-C.; Li, J.-Y.; JIUN-YUN LI
臺大學術典藏 2020-01-13T08:25:14Z GeSn-based p-i-n photodiodes with strained active layer on a Si wafer Tseng, H. H.; Li, H.; Mashanov, V.; Yang, Y. J.; Cheng, H. H.; Chang, G. E.; Soref, R. A.; Sun, G.; YAO-JOE YANG
亞洲大學 2009-09 Gestalt modeling of cultures' consequences on international experiential (tourism) consumption Hsu), 許世芸(Shih-Yun

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