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| 臺大學術典藏 |
2018-09-10T08:35:40Z |
Growth of structure i carbon dioxide hydrate from molecular dynamics simulations
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Tung, Y.-T.; Chen, L.-J.; Chen, Y.-P.; Lin, S.-T.; SHIANG-TAI LIN; LI-JEN CHEN |
| 臺大學術典藏 |
2008-02 |
Growth of Tabular alpha-Al2O3 Grains on Porous Alumina Substrate
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韋文誠; 韋文誠 |
| 國立臺灣大學 |
2008-02 |
Growth of Tabular alpha-Al2O3 Grains on Porous Alumina Substrate
|
韋文誠 |
| 臺大學術典藏 |
2020-05-12T02:54:18Z |
Growth of tabular α-Al2O3 grains on porous alumina substrate
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Yu, B.-Y.; Wei, W.-C.J.; WEN-CHENG J. WEI |
| 東海大學 |
1961-06-00 |
Growth of Taipei City
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席汝楫; His, Ju-chi |
| 國立臺灣科技大學 |
2003 |
Growth of tantalum boride films by RF magnetron sputtering - Effect of bias
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Lin, S.T.;Lee, C. |
| 國立臺灣科技大學 |
2003 |
Growth of tantalum boron nitride films on Si by radio frequency reactive sputtering: effect of N-2/Ar flow ratio
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Lin, S.T.;Lee, C. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:03:11Z |
GROWTH OF TERNARY SI1-X-YGEXCY THIN-FILMS FROM A SINGLE-SOURCE PRECURSOR, GE(SIME(3))(4)
|
CHIU, HT; SHIE, SC; CHUANG, SH |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:59:14Z |
GROWTH OF TERNARY SI1-X-YGEXCY THIN-FILMS FROM A SINGLE-SOURCE PRECURSOR, GE(SIME(3))(4)
|
CHIU, HT; SHIE, SC; CHUANG, SH |
| 臺大學術典藏 |
2022-08-09T03:51:00Z |
Growth of ternary silicon carbon nitride as a new wide bandgap material
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Chen L.C.; Chen C.K.; Bhusari D.M.; Chen K.H.; Wei S.L.; Chen Y.F.; Jong Y.C.; Lin D.Y.; Li C.F.; Huang Y.S.; Chen L.C.; Chen C.K.; Bhusari D.M.; Chen K.H.; Wei S.L.; Chen Y.F.; Jong Y.C.; Lin D.Y.; Li C.F.; Huang Y.S.; LI-CHYONG CHEN |
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