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| 國立高雄應用科技大學 |
2009 |
1.25Gbps互補式金氧半自動增益控制放大器之積體電路設計與分析
|
賴學勤; Lai, Hsueh-Chin |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:27:10Z |
1.25GHz ,8個相位輸出之全數位鎖相迴路
|
陳俊銘; Chun-Ming Chen; 蘇朝琴; Chau-Chin Su |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:52:08Z |
1.25億位元/每秒四分之ㄧ時脈與資料回復電路設計與實現
|
林建華; Jian-Hua Lin; 羅正忠; Zheng-Zhong Luo |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:45Z |
1.25億位元/每秒資料回路電路設計與實現
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蔡明衡; Ming-Heng Tsai; 羅正忠 |
| 國立高雄應用科技大學 |
2012 |
1.25至2.5Gb/s時脈資料回復電路設計
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陳冠墉; Chen, Guan-Yung |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:25:51Z |
1.2Gbps更小擺幅差動訊號傳輸模式收發器
|
邱啟祐; CHI-YU CHIU; 吳錦川; Jiin-Chuan Wu |
| 國立高雄應用科技大學 |
2009 |
1.2kW燃料電池應用於太陽能雙動力載具之性能分析
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陳睿堅; Chieh, Chen Jui |
| 國立高雄應用科技大學 |
2007 |
1.2kW質子交換膜燃料電池系統參數性能分析
|
陳瑾鴻 |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:27:37Z |
1.2V CMOS switched-capacitor circuits
|
Wu, JT; Chang, YH; Chang, KL |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:48Z |
1.2V CMOS 類比數位轉換器
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徐朝輝; Xu, Chao Hui; 吳介琮; Wu, Jie Cong |
| 淡江大學 |
1997-11-29 |
1.2V low-power dynamic complementary-pass-transistor logic
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鄭國興; Cheng, Kuo-hsing; Chen, Jian-hung |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:19:21Z |
1.2V sub-nanoampere A/D converter
|
Rachmuth, G; Yang, YS; Poon, CS |
| 國立虎尾科技大學 |
2011 |
1.2伏特十位元低功率連續逼近式類比數位轉換器
|
陳俊甫 |
| 國立虎尾科技大學 |
2015 |
1.2伏特十位元連續逼近式類比數位轉換器設計與製作
|
陳得勤 |
| 國立臺灣大學 |
2004-02 |
1.3 /spl mu/m GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
|
Liu, P.W.; Liao, G.H.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣大學 |
2003-10 |
1.3 /spl mu/m ln(Ga)As/GaAs quantum-dot lasers and their dynamic properties
|
Mao, M.H.; Wu, T.Y.; Chang, F.Y.; Lin, H.H. |
| 國立東華大學 |
2003-09 |
1.3 micron single lateral mode lasers based on InAs QDs and InGaAsN quantum wells
|
祁錦雲; Jim-Yong Chi; A.R.Kovsh; D.A.Livshits; N.A.Maleev; A.E.Zhukov; V.M.Ustinov; J.S.Wang; R.S.Hsiao; G.Lin; J.Y.Chi; N.N.Ledentsov |
| 國立中山大學 |
1988 |
1.3 mm Cobalt-Doped Current Blocking Layers Grown by MOCVD
|
W.H. Cheng;J. Pooladdej;S.Y. Huang;K.D. Buehring;A. Appelbaum;D. Wolf;D. Renner |
| 國立中山大學 |
1992-07 |
1.3 mm InGaAsP Fabry-Perot Lasers with Reduced Pulse Jitter and Power Penalty
|
W.H. Cheng; J.M. Dugan;J.C. Miller; D. Renner;T.C. McDermott; C.B. Su |
| 國立成功大學 |
2004-07-25 |
1.3 mu m InAs quantum dot resonant cavity light emitting diodes
|
Su, Yan-Kuin; Yu, H. C.; Chang, Shoou-Jinn; Lee, C. T.; Wang, J. S.; Kovsh, A. R.; Wu, Y. T.; Lin, K. F.; Huang, C. Y. |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:18:11Z |
1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting laser with external light injection
|
Peng, PC; Chang, YH; Kuo, HC; Tsai, WK; Lin, G; Lin, CT; Yu, HC; Yang, HP; Hsiao, RS; Lin, KF; Chi, JY; Chi, S; Wang, SC |
| 國立成功大學 |
2009 |
1.3 mu m Strain-Compensated InGaAsP Planar Buried Heterostructure Laser Diodes with a TO-Can Package for Optical Fiber Communications
|
Tsai, Chia-Lung; Chou, Yi-Lun; Wang, Y. S.; Chang, Shoou-Jinn; Wu, Meng-Chyi; Lin, W. |
| 國立虎尾科技大學 |
2007 |
1.3 μm Ga0.11In0.89As0.24P0.76/Ga0.27In0.73As0.67P0.33 compressive-strain multiple quantum well with n-type modulation-doped GaInP intermediate-barrier laser diodes
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Lei, Po-Hsun |
| 國立臺灣大學 |
2004-02-05 |
1.3 μm GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
|
Liu, P.W.; Liao, G.H.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
1.3 μm GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
|
Liu, P.-W.; Liao, G.-H.; Lin, H.-H. |
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